磁場中の試料にマイクロ波を照射して電子スピンの信号を観測します。試料中のラジカル種の定性・定量や常磁性物質の同定が可能です。90から400ケルビンまでの広い温度範囲で測定が可能です。スペクトルの解析についても相談に応じます。試料の回収が可能です。
試験方法の要望対応可能
試験計画の立案可能
磁場中の試料にラジオ波を照射して核スピンの信号を観測します。信号の処理を行い、試料の構造解析を行います。
試験方法の要望対応不可
試験計画の立案不可
溶媒に可溶な反磁性分子の構造推定など
物理気相成長（PVD）、化学気相成長（CVD）、プラズマエッチング、電子ビーム、露光プロセスなどの半導体製造・薄膜加工や検査工程に関する数値計算システムの導入支援を行います。当事業では商用ツールではなく大学の研究室等で開発されているシステムの産学連携による活用を想定しています。海外大学・研究機...
・表面波プラズマの電磁場解析
半導体製造プロセスで多く用いられるのは容量結合型／誘導結合型放電という方式で、商用シミュレーションツールの応用例も豊富ですが、高密度のプラズマを生成する表面波モードのマイクロ波励起プラズマに対応した商用ツールは少数です。一方、例えば金属機械部品の摩擦低減のためのダイヤモンドライクカーボン(DLC)成膜手法として表面波プラズマは注目されていて、シミュレーションの研究もされています。このようなシミュレーションシステムの実用化を行います。
・デバイス微細加工・成膜時の形状進展の解析
形状進展シミュレーションは歴史の長い商用ツールがありますが、ウエットエッチングや化学的気相反応(CVD)など個々の加工プロセスについて物理・化学モデルが十分に備わっているとは言えません。また、大手半導体メーカーが生産するプロセッサやメモリ向けではなく、例えばマイクロLED作製のための窒化ガリウム(GaN)の成膜・加工などの用途では応用例が少なく、大手ベンダの商用ツールでは対応が困難です。上記のようなプロセスや用途に特化した形状進展シミュレーションの実現します。
・結晶の液相成長の解析
液相成長による単結晶材料の製造は、半導体向けのシリコンウエハを始めとして日本の得意分野であり、結晶成長過程の数値シミュレーションの研究も盛んに行われてきましたが、商用ツールは少数です。一方で単結晶材料開発の研究は近年も盛んであり、大学発ベンチャーによる事業化も目立ちます。液相成長は長時間を要するため、シミュレーションによるプロセス最適化・生産効率の向上を実現します。
