検索結果：機器訪問利用カテゴリ「分析」（45件）

○食品のにおい成分の分析

食品の香気成分として炭化水素類、アルコール類、エステル類などがあり、標準試料、検量線を用いて分析することによって、定性、定量ができます。

○分離膜の透過実験

透過側と供給側の液の組成を測定することによって分離係数を算出することができます。

○樹脂の解析

熱分解させた樹脂を測定することで骨格構造、末端基情報を得ることができます。

○高分子材料に含まれる添加成分の分析

溶媒抽出などの前処理で得られた抽出液を分析し、酸化防止剤などの添加剤や残存溶媒の定性、定量ができます。

※組織により上記実験ができない場合がございます。

〇異物の同定

既知物質の赤外吸収スペクトルと比較することで、異物の同定ができます。

〇有機物の構造解析

赤外吸収スペクトルから、結合度や官能基の有無、シス-トランス異性などの構造を調べることができます。

〇品質管理

基準となる赤外吸収スペクトルと比較することで、測定対象の品質が要求仕様を満たしているかを調べることができます。

〇トランス脂肪酸含有量の測定

全反射法を用いることで、食品に含まれるトランス脂肪酸の含有量を調べることができます。

※組織により上記実験ができない場合がございます。

○COS7、HEK等の一般的な培養細胞株、初代培養細胞、ES細胞、iPS細胞の培養

設定温度37℃、CO2濃度5%で培養します。

○Sf9等の昆虫細胞

27℃、CO2調節は培養に特に必要としません。30℃以上になると昆虫細胞は死んでしまいます。

○培養細胞の虚血実験

インキュベーター内の酸素濃度を低くすることにより可能です。

※組織により上記実験ができない場合がございます。

○塩基配列の決定

ゲノム配列が決定されていないDNAを増幅した上で、ショットガン塩基配列決定法やシークエネーターを併用することで、塩基配列を決定することができます。

○特定遺伝子の検出

DNAの持つ多形性を利用し、加工食品の肉腫判定や結核などのウイルス性疾患の検査で実用化されています。リアルタイムPCRという、電気泳動による検出なしで目的DNAの増幅を確認できる手法を用います。

○cDNA（complementary DNA）の増幅

逆転写酵素でcDNA-mRNAハイブリットを合成した後、RT-PCR（reverse transcriptase-PCR）を行うことで増幅することができます。

※組織により上記実験ができない場合がございます。

◯物質の透過率の測定

物質の透過を測定し、物質の量（濃度や膜厚）から透過率を算出することができます。

◯物質の反射率の測定

試料ステージに反射測定用ユニットを設置することで、物質の反射率を測定することができます。

◯物質の吸光度、バンドギャップの算出

物質の透過率、反射率から、物質の特定波長における吸光度が算出されます（透過測定が振り切っていない場合のみ）。またピークの立ち上がり波長からバンドギャップが算出されます。

◯物質のキャリアの確認

物質がキャリアを持つ場合には、物質の透過スペクトルにおける概ね700nmから長波長側に吸収が見られます。

◯特定物質の定性、定量分析

測定対象物質があらかじめわかっている場合は、吸収ピーク波長のシフトや濃度といった情報が得られます。

〇その他

偏光子をもちいることで、物質の光応答性に関する異方性の情報が得られます。配向結晶などに対して計測することで、結晶軸による光応答性の違いがわかります。

※組織により上記実験ができない場合がございます。

〇多孔質物質の構造解析

29Siを測定することで、構造を推定することができます。

〇ペプチド・ポリペプチドの構造解析

13Cを測定し、構造を推定することができます。

〇ダイヤモンドライクカーボン(DLC)の評価

13Cについてsp3とsp2の割合を解析することで、DLCの評価を行うことができます。

〇高分子材料における結晶化度の定量

DD/MAS 法にて得たスペクトルを用いることで、結晶相の炭素、非晶相の炭素の割合を比較することで、結晶化度を測定することができます。


※組織により上記実験ができない場合がございます。

〇レジストのパターン形成の観察

露光、現像後の半導体のパターンを観察することができます。

〇複合材料(樹脂)の断面の観察

フィラーや強化繊維などを樹脂に分散させた際に、断面観察により分散状態を観察することができます。

〇電極断面の観察

LEDの金属電極断面について、低加速電圧で反射電子像を観察することにより、金属薄膜の結晶の状態を観察することができます。

〇金属材料の破損原因の分析

金属材料が破損した際に、原因を分析する1つの手段として、破断面の状態を観察し、原因を分析することができます。

※組織により上記実験ができない場合がございます。

○部品の破損原因の特定

劣化して破損してしまった部品を表面分析することにより、本来部品に含まれていない成分などの有無を調べ、外的要因がないかどうかを判断することができます。

○金属中の変色調査

変色してしまった金属製品を測定しマッピング分析をすることにより、変色箇所に含まれる成分を特定することができます。

○無機物質の大まかな材料判定

未知の無機物質を測定し、標準試料のデータと照らし合わせることで無機物質の大まかな材料判定をすることができます。

○電子基板上の微小異物の分析

電子基板上に発生した微小異物の元素分析をすることにより、有機物か無機物かを判別することができます。

※組織により上記実験ができない場合がございます。

◯物質の構成元素の定量分析

物質を構成する元素の強度比から、定量分析が可能です。電子顕微鏡観察面での分析であり、試料全体の定量分析ではないことに注意が必要です。また標準試料を用いることによって、定量の精度が向上します。

◯物質の構成元素の定性分析

検出したX線の波長からどのような元素が含まれているかわかり、未知物質の組成推定に用いることができます。検出限界は 程度で、0.001質量％（重元素の場合）で、微量成分の分析には向きません。

◯相分離構造のマッピング分析

観察面の各位置から検出された特性X線波長を各元素ごとに色分けすることにより、元素マッピング分析が可能です。合金、磁石、鉱石などの相分離構造観察などに活用されます。

◯デバイスの縦方向組成分析

半導体などのデバイス断面を観察することで、各層を構成する元素組成がわかります。デバイス構成によっては層膜厚が分解能以下であるため、各層の組成ずれや層間の元素拡散の度合いが定性的にわかります。

◯汚染、不純物の組成特定

製品の不良解析や原因推定の際に有効な手段です。例えば不良があった半導体製品の表面に意図せず付着しているドロップレットの構造、組成が分かると、原因特定に役立ちます。

※組織により上記実験ができない場合がございます。

試料の定性・定量分析・相同定

粉末X線回折法により得られた回折パターンを、既知物質の回折パターンと比較することで試料の定性・定量分析や相同定をすることができます。

格子定数・イオン半径・原子座標位置の算出

粉末X線回折法により得られた回折パターンのフィッテングを行うことで、試料の格子定数・イオン半径・原子座標位置を算出することができます。

分子の三次元構造の決定

単結晶X線回折法により得られた回折パターンから、分子の三次元構造を決定することができます。

試料の格子歪・残留応力の測定

X線回折法により得られた回折パターンから、ピーク位置のずれや幅を測定することで試料の格子歪・残留応力の算出をすることができます。

結晶方位の測定

試料に照射するX線の角度を変化させながら、任意の結晶方位の回折ピークを測定することで試料の結晶方位を測定することができます。

結晶配向性の測定

特定のピーク位置における回折強度分布を測定することで、結晶の配向性を測定することができます。


※組織により上記実験ができない場合がございます。