1.半導体のホール効果測定(測定温度:20 Kから1060 K) ・抵抗率の温度依存性・多数キャリア密度の温度依存性・多数キャリアの移動度の温度依存性 2.多数キャリア密度の温度依存性からの解析・評価(FCCS法) ・ドーパント(ドナー、アクセプタ)の密度とエネルギー準位の評価 ・多数キャリア...
試験方法の要望対応可能
試験計画の立案可能
半導体工学の専門家によるアドバイスや共同研究が可能
半導体開発
液体または固体試料を一定の速度で加熱しながら、その重量を連続的に測定する技術です。試料の重量変化と温度の関係から、分解、酸化、還元、昇華、吸着・脱着、相転移などの反応に関する情報が得られます。測定温度範囲は室温から1000℃程度です。窒素ガス雰囲気下での測定も可能です
試験方法の要望対応可能
試験計画の立案可能
高分子、有機物、無機物、金属錯体、薬品などの熱重量分析。ただし、発火性および爆発性のある試料の測定は不可。
液体または固体試料を一定の速度で加熱しながら、その熱容量(比熱)を連続的に測定する技術です。試料の熱容量変化と温度の関係から、分解、酸化、還元、昇華、吸着・脱着、相転移などの反応に関する情報が得られます。測定温度範囲は-150から500℃程度です。窒素ガス雰囲気下での測定も可能です。
試験方法の要望対応可能
試験計画の立案可能
高分子、有機物、無機物、金属錯体、薬品などの熱容量分析。ただし、発火性および爆発性のある試料の測定は不可。