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1.半導体のホール効果測定(測定温度:20 Kから1060 K) ・抵抗率の温度依存性・多数キャリア密度の温度依存性・多数キャリアの移動度の温度依存性 2.多数キャリア密度の温度依存性からの解析・評価(FCCS法) ・ドーパント(ドナー、アクセプタ)の密度とエネルギー準位の評価 ・多数キャリア...
試験方法の要望対応可能
試験計画の立案可能
半導体工学の専門家によるアドバイスや共同研究が可能
半導体開発
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