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検索結果:機器訪問利用カテゴリ「密度」(3件)

    • Ic pin 神奈川県
    • 機器訪問利用

    透過型電子顕微鏡(TEM):JEM-2100F

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    形態観察、結晶構造解析、元素分析

    電子顕微鏡は、光の代わりに電子(電子線)をあてて拡大する顕微鏡のことです。観察物質の構造や構成成分の違いにより電子線の透過能が異なるので、場所による透過電子の密度の違いを透過顕微鏡像として得ます。透過型電子顕微鏡では、極薄い試料を用いますが、数十万倍にも拡大した像を得ることができます。さらに、原子の周期的な配列に対応した回折現象を利用して、電子回折像が得られます。これは、物質(試料)の性質、特に結晶構造や格子欠陥に関わる重要な情報です。

    可能な実験例

    形態観察、結晶構造解析、元素分析

    • Ic pin 東京都
    • 機器訪問利用

    蛍光X線分析装置(XRF)

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    X線を試料に照射した時に発生する蛍光X線のエネルギーや強度から、物質の成分元素や構成比率を分析できる装置です。

    可能な実験例

    ○合金めっき膜圧の測定

    合金めっきをした試料材料を測定し各成分のスペクトルを分析することによって密度、付着量、膜厚を求めることができます。

    ○基板の電極部周辺の面分析

    基板の電極部分を測定し元素マッピングすることによって金属の分布を知ることができます。

    ○岩石の成分分析

    岩石粉体状に砕き測定することで岩石に含まれる成分の種類と量などを分析することができます

    ○廃液の成分分析

    廃液を液体のまま測定することによって、液中に含まれる成分や量などを分析することができます。


    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

    • Ic pin 茨城県
    • 機器訪問利用

    ドライエッチング装置

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    プラズマを利用したガスによって加工する方法をドライエッチングと呼び、半導体に精密な凹凸を形成することができます。

    可能な実験例

    〇バレル型プラズマエッチング装置

    円筒型の石英管の周りに電磁誘導コイル、または一対の容量結合電極を設置し、RFパワーを印加することによってプラズマが生成されます。
    レジストのアッシングに用いられています。

    〇CCPプラズマエッチング装置

    CCP(容量結合型プラズマ)は平行平板型の一対の電極間にRFパワーを印加することによってプラズが生成されます。平行平板型RIE(反応性イオンエッチング)装置とも呼ばれています。
    SiO2のエッチングに用いられています。

    〇マグネトロンRIE装置

    電界と磁界の相互作用で電子をサイクロイド運動させることによって、高密度プラズマが生成されます。RIEに永久磁石または電磁コイルで形成した磁界を加えたものです。
    SiO2のエッチングに用いられています。

    ○ECRプラズマエッチング装置

    ECRとは電子サイクロトロン共鳴と呼ばれ、マイクロ波の電界と磁場の静磁界の共鳴作用で電子がサイクロトロン運動をするので、高密度プラズマを生成することが出来ます。
    導電性材料であるゲート材料やSi、Al配線などの微細加工に用いられています。

    ○ICPプラズマエッチング装置

    ICPとは誘導結合型プラズマと呼ばれ、高周波電流をコイルに流して形成された磁界によって高密度プラズマが生成されます。
    導電性材料であるゲート材料やSi、Al配線などの微細加工に用いられています。

    ○ヘリコーン波プラズマエッチング装置

    ICPプラズマエッチング装置にさらに直流磁界を付加して高密度プラズマを生成する装置です。


    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

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