検索結果:機器訪問利用カテゴリ「相互作用」(6件)
東京都
機器訪問利用
液体の移動相をポンプなどで加圧してカラムを通過させ、サンプルを固定相及び移動相との相互作用(吸着、分配、イオン交換)の差を利用して、高性能に分離して検出する装置です。
可能な実験例
・不純物や汚染物質の分析 食品中の残留農薬や化学物質が混入していないかを分析することが可能です。
・アミノ酸分析 誘導体化を行うことで、アミノ酸を選択的かつ高感度で分析することができます。
・糖類の分析 単糖・二糖・オリゴ糖・糖アルコールなどの分離分析にHPLC分析が用いられます。
・生体試料の薬物濃度測定 内部標準物質と生体試料を比較することで、生体試料の薬物濃度を測定することができます。
・鏡像異性体の分離 キラルな固定相を有するカラムを用いることで、エナンチオマーの分離分析をすることが可能です。
・分子量分布測定 ゲルろ過クロマトグラフィーをもちいることで、試料の平均分子量や分散度、分子量分布を測定することが可能です。
※組織により上記実験ができない場合がございます。
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東京都
機器訪問利用
集束したイオンビームを試料に照射し、加工や観察を行う装置です。
可能な実験例
◯SIM観察 イオンのスパッタ時に放出される二次電子を信号として可視化することにより画像として得られます。SIM像は、SEM像に比べて組成や結晶方位のコントラストが強く現れるため、金属などの微細構造組成の分布観察や結晶粒の観察などに適しています。
◯マイクロサンプリング 透過型電子顕微鏡(TEM:Transmission Electron Micro-scope)などにより微少領域を観察する際などに用いる微少ブロックの形成(マイクロサンプリング法)に用いられます。TEM 試料台に搭載後、ビームの特性とマニピュレータ機能を組み合わせて、厚さ100nm程度の目的部位を摘出します。またFIB加工と顕微鏡観察を繰り返し、得られた連続画像をコンピューター上で再構成することにより、試料の三次元構造解析が可能となります。
◯破断の難しい試料の電子顕微鏡観察像取得 試料の断面構造を観察する場合に、破断の難しい試料(金属や有機物など柔らかく、破断前後で形状が変わってしまうの)にも機械的なストレスを与えることなく断面を得ることができます。例として半田ボールの断面加工や有機系太陽電池などが挙げられ、EDXなどの組成分析とあわせて活用できます。
◯微少領域の断面加工 試料が均質でなく、観察したい箇所が試料断面の一部分や数μm程度の大きさである場合も、SIM観察しながら細く絞ったビームで断面加工を行うことができます。例として基板上の異物観察による成長メカニズム解析、めっきの不良箇所、未着部分観察など、狙って断面を出すことが難しい試料でも加工を行うことができます。
※組織により上記実験ができない場合がございます。
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東京都
機器訪問利用
可能な実験例
○食品のにおい成分の分析 食品の香気成分として炭化水素類、アルコール類、エステル類などがあり、標準試料、検量線を用いて分析することによって、定性、定量ができます。
○分離膜の透過実験 透過側と供給側の液の組成を測定することによって分離係数を算出することができます。
○樹脂の解析 熱分解させた樹脂を測定することで骨格構造、末端基情報を得ることができます。
○高分子材料に含まれる添加成分の分析 溶媒抽出などの前処理で得られた抽出液を分析し、酸化防止剤などの添加剤や残存溶媒の定性、定量ができます。
※組織により上記実験ができない場合がございます。
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茨城県
機器訪問利用
核磁気共鳴法(NMR)は、磁場中での原子核の共鳴現象を利用して、原子レベルの化学構造や分子運動性を解析できる手法です。 試料を溶媒に溶かすことなく測定するため、固体状態そのままの構造情報を得られます。
可能な実験例
〇多孔質物質の構造解析 29Siを測定することで、構造を推定することができます。
〇ペプチド・ポリペプチドの構造解析 13Cを測定し、構造を推定することができます。
〇ダイヤモンドライクカーボン(DLC)の評価 13Cについてsp3とsp2の割合を解析することで、DLCの評価を行うことができます。
〇高分子材料における結晶化度の定量 DD/MAS 法にて得たスペクトルを用いることで、結晶相の炭素、非晶相の炭素の割合を比較することで、結晶化度を測定することができます。
※組織により上記実験ができない場合がございます。
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茨城県
機器訪問利用
プラズマを利用したガスによって加工する方法をドライエッチングと呼び、半導体に精密な凹凸を形成することができます。
可能な実験例
〇バレル型プラズマエッチング装置 円筒型の石英管の周りに電磁誘導コイル、または一対の容量結合電極を設置し、RFパワーを印加することによってプラズマが生成されます。
レジストのアッシングに用いられています。
〇CCPプラズマエッチング装置 CCP(容量結合型プラズマ)は平行平板型の一対の電極間にRFパワーを印加することによってプラズが生成されます。平行平板型RIE(反応性イオンエッチング)装置とも呼ばれています。
SiO2のエッチングに用いられています。
〇マグネトロンRIE装置 電界と磁界の相互作用で電子をサイクロイド運動させることによって、高密度プラズマが生成されます。RIEに永久磁石または電磁コイルで形成した磁界を加えたものです。
SiO2のエッチングに用いられています。
○ECRプラズマエッチング装置 ECRとは電子サイクロトロン共鳴と呼ばれ、マイクロ波の電界と磁場の静磁界の共鳴作用で電子がサイクロトロン運動をするので、高密度プラズマを生成することが出来ます。
導電性材料であるゲート材料やSi、Al配線などの微細加工に用いられています。
○ICPプラズマエッチング装置 ICPとは誘導結合型プラズマと呼ばれ、高周波電流をコイルに流して形成された磁界によって高密度プラズマが生成されます。
導電性材料であるゲート材料やSi、Al配線などの微細加工に用いられています。
○ヘリコーン波プラズマエッチング装置 ICPプラズマエッチング装置にさらに直流磁界を付加して高密度プラズマを生成する装置です。
※組織により上記実験ができない場合がございます。
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