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検索結果:機器訪問利用カテゴリ「電池」(6件)

    • Ic pin 栃木県
    • 機器訪問利用

    恒温槽

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    ・槽内の温度・湿度を制御することができ高温から低温のストレスを与え信頼性の評価が可能 ・プログラム運転可能で電池評価用の安全増し装備も付帯

    <主性能(能力範囲)>
    温度範囲:-40~+100℃
    槽内寸法:W1150×D700×H700[mm]
    開口部寸法(配線等出入り口) Φ100㎜×2
    安全増し装備:水素ガス検知、槽内圧検知

    可能な実験例

    ・高温試験
    ・低温試験
    ・温度サイクル試験

    用途例

    ・第2のラボとして!
    ・研究プロジェクトを始める前の予備実験などに!
    ・自社で行えないサイドプロジェクトを行う場としての使用

    各温度域での温度ストレスによる製品特性、物性の劣化評価

    • Ic pin 栃木県
    • 機器訪問利用

    減圧試験機

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    高地での使用や航空機輸送を想定し、製品が受ける減圧環境と温度を加味して再現できる試験装置

    <主性能(減圧、恒温性能)>
    圧力(kPa): 9 〜 大気圧 (高度 23,000m相当, -20℃)
    温度(℃): -20 ~ +80
    槽内寸法(mm): W800×D800×H709
    圧力下降時間: 大気圧 → 11.6kPa, 60分以内で安定

    可能な実験例

    高度試験
    高度シミュレーション
    減圧環境下での絶縁性能低下確認 など

    用途例

    ・第2のラボとして!
    ・研究プロジェクトを始める前の予備実験などに!
    ・自社で行えないサイドプロジェクトを行う場としての使用

    • Ic pin 栃木県
    • 機器訪問利用

    充放電試験機

    Thumb c64bebfe a637 4c78 b709 7b29fbc5fe2c

    <主性能(充放電能力)> 電圧(V) :0-60 電流(A) :+200(充電)/-1000(放電)

    バッテリー評価(専用設備)
    リチウムイオン電池への充電/放電時の電流・電圧状態を再現し、電池の入出力性能や容量特性などを評価する装置

    <副性能(恒温槽)>
    恒温槽サイズ(mm) :W600×D850×H800
    恒温槽温度範囲(℃) :-40~100

    可能な実験例

    ・リチウムイオン電池の入出力性能試験
    ・リチウムイオン電池の性能劣化試験
    ・電池特性取得試験 電池容量
    ・電池特性取得試験 SOC-OCV
    ・電池特性取得試験 電圧特性
    ・電池特性取得試験 温度特性

    用途例

    ・第2のラボとして!
    ・研究プロジェクトを始める前の予備実験などに!
    ・自社で行えないサイドプロジェクトを行う場としての使用

    ・上記の試験の他に独自の充放電プログラムを作成して試験試験することが可能です

    • Ic pin 栃木県
    • 機器訪問利用

    充放電試験機

    Thumb e857b854 11b1 42fe b87d 49d4a943444a

    <主性能(充放電能力)> 電圧(V) :0-60 電流(A) :+200(充電)/-1000(放電) <主性能(充放電能力)> 電圧(V) : 0-60V 電流(A) :±300A

    <副性能(恒温槽)>
    恒温槽サイズ(mm) W600×D800×H850
    恒温槽温度範囲(℃) -40~100

    可能な実験例

    ・リチウムイオン電池の入出力性能試験
    ・リチウムイオン電池の性能劣化試験
    ・電池特性取得試験 電池容量
    ・電池特性取得試験 SOC-OCV
    ・電池特性取得試験 電圧特性
    ・電池特性取得試験 温度特性

    用途例

    ・第2のラボとして!
    ・研究プロジェクトを始める前の予備実験などに!
    ・自社で行えないサイドプロジェクトを行う場としての使用

    ・上記の試験の他に独自の充放電プログラムを作成して試験することが可能です

    • Ic pin 東京都
    • 機器訪問利用

    集束イオンビーム(FIB)装置

    Thumb be1bc4ed 8dc1 4085 a843 60c721c2244a

    集束したイオンビームを試料に照射し、加工や観察を行う装置です。

    可能な実験例

    ◯SIM観察

    イオンのスパッタ時に放出される二次電子を信号として可視化することにより画像として得られます。SIM像は、SEM像に比べて組成や結晶方位のコントラストが強く現れるため、金属などの微細構造組成の分布観察や結晶粒の観察などに適しています。

    ◯マイクロサンプリング

    透過型電子顕微鏡(TEM:Transmission Electron Micro-scope)などにより微少領域を観察する際などに用いる微少ブロックの形成(マイクロサンプリング法)に用いられます。TEM 試料台に搭載後、ビームの特性とマニピュレータ機能を組み合わせて、厚さ100nm程度の目的部位を摘出します。またFIB加工と顕微鏡観察を繰り返し、得られた連続画像をコンピューター上で再構成することにより、試料の三次元構造解析が可能となります。

    ◯破断の難しい試料の電子顕微鏡観察像取得

    試料の断面構造を観察する場合に、破断の難しい試料(金属や有機物など柔らかく、破断前後で形状が変わってしまうの)にも機械的なストレスを与えることなく断面を得ることができます。例として半田ボールの断面加工や有機系太陽電池などが挙げられ、EDXなどの組成分析とあわせて活用できます。

    ◯微少領域の断面加工

    試料が均質でなく、観察したい箇所が試料断面の一部分や数μm程度の大きさである場合も、SIM観察しながら細く絞ったビームで断面加工を行うことができます。例として基板上の異物観察による成長メカニズム解析、めっきの不良箇所、未着部分観察など、狙って断面を出すことが難しい試料でも加工を行うことができます。


    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

    • Ic pin 茨城県
    • 機器訪問利用

    CVD装置

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    薄膜(はくまく)形成装置の一つで、半導体の表面に薄い膜を堆積する装置です。

    可能な実験例

    ◯酸化物系の成膜

    原料に酸素含有ガスを用いることにより、酸化物薄膜が形成できます。例として絶縁膜などに利用されるSiOやAl2O3、強誘電体として利用されるPZT、超伝導体YBCOなどが成膜できます。その他にも多くの酸化物が研究されています。

    ◯化合物系の成膜

    化合物系薄膜が成膜できます。例として太陽電池や 高速通信などに用いられるGaAs、LEDなどに用いられるGaN、パワーデバイスなどに用いられるSiCなどが挙げられます。

    ◯シリコン系の成膜

    広く産業用途で用いられるSiを成膜できます。エピタキシャルSi、polySi、アモルファスSiなど、様々な状態のSiが成膜できます。

    ◯2次元層状化合物の成膜

    近年活発に研究されているグラフェンや金属カルコゲナイドなどを成膜することができます。

    ◯表面処理

    必ずしも平坦でない対象物表面にも処理できるため、凹凸の多い対象の表面処理などに用いられます。例として切削工具などの耐摩耗性を向上させるTiC、TiCNなどがあります。


    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

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