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検索結果:機器訪問利用カテゴリ「汚染」(7件)

    • Ic pin 東京都
    • 機器訪問利用

    HPLC(高速液体クロマトグラフィー)

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    液体の移動相をポンプなどで加圧してカラムを通過させ、サンプルを固定相及び移動相との相互作用(吸着、分配、イオン交換)の差を利用して、高性能に分離して検出する装置です。

    可能な実験例

    ・不純物や汚染物質の分析

    食品中の残留農薬や化学物質が混入していないかを分析することが可能です。

    ・アミノ酸分析

    誘導体化を行うことで、アミノ酸を選択的かつ高感度で分析することができます。

    ・糖類の分析

    単糖・二糖・オリゴ糖・糖アルコールなどの分離分析にHPLC分析が用いられます。

    ・生体試料の薬物濃度測定

    内部標準物質と生体試料を比較することで、生体試料の薬物濃度を測定することができます。

    ・鏡像異性体の分離

    キラルな固定相を有するカラムを用いることで、エナンチオマーの分離分析をすることが可能です。

    ・分子量分布測定

    ゲルろ過クロマトグラフィーをもちいることで、試料の平均分子量や分散度、分子量分布を測定することが可能です。


    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

    • Ic pin 東京都
    • 機器訪問利用

    原子間力顕微鏡(AFM)

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    料と探針の原子間にはたらく力を検出して画像を得る装置です。

    可能な実験例

    ◯膜厚測定

    基材と薄膜界面近辺を測定することにより、膜厚がわかります。例として蒸着膜やSAMs、LB膜などが挙げられます。分子構造と膜厚から層数がわかることもあります。

    ◯原子レベル平坦結晶面の観察研磨した単結晶基板や単結晶のへき開面などは原子レベルで平坦なことがあり、AFMによりステップ&テラス構造が観察されることがあります。結晶面の成長過程観察により成長メカニズムの解明に役立ちます。

    ◯表面荒さの測定

    観察した表面の荒さや凹凸の度合いを測定することができます。平均面荒さ(Ra)や自乗平均面荒さ(RMS)、面内最大高低差(Rmax)といった数値であらわされます。

    ◯生体材料の測定

    タッピングモードやノンコンタクトモード測定などを用いることにより、対象物を破壊することなく測定することができます。柔らかく変位し易い生体材料などの表面測定に適しており、プローブのしなりなどから細胞膜の弾性率などを測定することもできます。


    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

    • Ic pin 東京都
    • 機器訪問利用

    ICP-AES(ICP発光分光装置)

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    液体試料中の元素の定性分析・定量分析固体試料中の元素の定量分析を行う装置です。

    可能な実験例

    ◯無機物の構成成分定量分析

    主成分組成や微量添加元素が性能に与える影響が大きい素材の分析に有効です。鉄鋼など合金、セラミックス、鉱石などの成分分析に用いられます。

    ◯環境規制物質の検査

    RoHSなどによる環境規制物質(鉛、水銀、カドミウムなど)の規制濃度は、例えばカドミウムの場合は100ppmなど、測定対象重量に対し微量です。 これらの微量成分定量分析に有効です。土壌や産業廃液、製品の一部などが分析対象です。

    ◯生体試料に含まれる金属などの定量分析

    体内に蓄積された重金属などが毛髪や爪、骨などに排出される場合があります。これらを溶かして分析、定量化することが可能です。

    ◯食品中の汚染物質濃度検出

    消費者の健康保護のために食品の汚染物質に対する基準値が設けられており、例えば米に含まれるカドミウムの場合は0.4 ppm(mg/kg)以下と定められています。これら食品の低濃度汚染物質検査に用いられることがあります。


    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

    • Ic pin 東京都
    • 機器訪問利用

    TOF-SIMS(飛行時間型二次イオン質量分析装置)

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    飛行時間型二次イオン質量分析法(TOF-SIMS:Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry)は、固体試料にイオンビーム(一次イオン)を照射し、表面から放出されるイオン(二次イオン)を、その飛行時間差(飛行時間は重さの平方根に比例)を利用して質...

    可能な実験例

    ・表面の欠陥

    試料表面の微細な欠陥を非破壊的に検査することができます。

    ・3次元イメージング

    固体試料中の任意の成分の3次元イメージングを行い、汚染成分やその分布を知ることができます。

    ・生体成分の検出

    生体に由来する無機・有機成分を検出し、マッピングすることが可能です。

    ・有機物による汚染の確認

    試料のマススぺクトルのフラグメント解析により、有機化合物による汚染を確認することができます。

    ・粒子表面の測定

    粉末粒子表面の塗装などの解析を行うことができます。


    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

    • Ic pin 東京都
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    ICP質量分析装置(ICP-MS)

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    水溶液中に含まれる元素の分析を行います。

    可能な実験例

    (1) 海水中重金属の分析

    海水中には広範囲の濃度で微量元素が含まれていて、亜鉛、ニッケル、鉛などng/L ~ μg/Lレベルの微量重金属の含有量を明らかにするためにICP質量分析を用います。
    海水には数パーセントを超えるナトリウム、塩素なども含まれているため、海水をそのまま装置に導入して測定することができません。
    そこでキレート樹脂分離法により測定前に海水から微量重金属を分離することを行います。海水中の重金属は有機または無機の溶存物配位子と錯体を形成している場合があるため、キレート樹脂に通す前に硝酸で処理します。
    酢酸アンモニウム溶液で溶液のpHを調整したのち、重金属多価イオンと錯体を形成できる配位子をもったキレート樹脂に海水を通します。樹脂から重金属を取り出すために1~3mol/Lの希硝酸を樹脂に通します。

    (2) 生体試料

    生体中の微量金属と疾病の関係に調べるあたり、生体中の元素の多くはμg/L以下の極低濃度しか含まれていないので、ICP-MSのような高感度の測定が必要です。
    しかし試料に由来するNa, K, Ca, S, Pなどの妨害イオンの存在により測定が困難です。そのため質量分解能が高いICP-SF-MS(二重収束型ICP-MS)を使うことで妨害を除くことができます。
    硝酸や過酸化水素水によって生体試料を分解処理します。塩酸や硫酸ではSやClなどの妨害イオンが生じてしまうため使用を避けます。

    (3) 半導体材料

    半導体の製造ではわずかな金属汚染でもデバイスの不良につながってしまうため、微量の金属分析が極めて重要で、ICP-MSにより微量の金属分析を行えます。
    シリコンをフッ化水素酸や硝酸の混酸で溶解して不純物を測定します。(このときSiF4が生成するが、沸点が-95.1℃であるため加熱して大部分を除去することができます。)


    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

    • Ic pin 茨城県
    • 機器訪問利用

    CVD装置

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    薄膜(はくまく)形成装置の一つで、半導体の表面に薄い膜を堆積する装置です。

    可能な実験例

    ◯酸化物系の成膜

    原料に酸素含有ガスを用いることにより、酸化物薄膜が形成できます。例として絶縁膜などに利用されるSiOやAl2O3、強誘電体として利用されるPZT、超伝導体YBCOなどが成膜できます。その他にも多くの酸化物が研究されています。

    ◯化合物系の成膜

    化合物系薄膜が成膜できます。例として太陽電池や 高速通信などに用いられるGaAs、LEDなどに用いられるGaN、パワーデバイスなどに用いられるSiCなどが挙げられます。

    ◯シリコン系の成膜

    広く産業用途で用いられるSiを成膜できます。エピタキシャルSi、polySi、アモルファスSiなど、様々な状態のSiが成膜できます。

    ◯2次元層状化合物の成膜

    近年活発に研究されているグラフェンや金属カルコゲナイドなどを成膜することができます。

    ◯表面処理

    必ずしも平坦でない対象物表面にも処理できるため、凹凸の多い対象の表面処理などに用いられます。例として切削工具などの耐摩耗性を向上させるTiC、TiCNなどがあります。


    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

    • Ic pin 茨城県
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    EPMA(電子線マイクロアナライザー装置)

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    電子プローブマイクロアナライザ(EPMA)は、物質表面に電子線を照射して、そこから発生する特性X線を計測し、試料を構成する元素とその量を測定することができます。

    可能な実験例

    ◯物質の構成元素の定量分析

    物質を構成する元素の強度比から、定量分析が可能です。電子顕微鏡観察面での分析であり、試料全体の定量分析ではないことに注意が必要です。また標準試料を用いることによって、定量の精度が向上します。

    ◯物質の構成元素の定性分析

    検出したX線の波長からどのような元素が含まれているかわかり、未知物質の組成推定に用いることができます。検出限界は 程度で、0.001質量%(重元素の場合)で、微量成分の分析には向きません。

    ◯相分離構造のマッピング分析

    観察面の各位置から検出された特性X線波長を各元素ごとに色分けすることにより、元素マッピング分析が可能です。合金、磁石、鉱石などの相分離構造観察などに活用されます。

    ◯デバイスの縦方向組成分析

    半導体などのデバイス断面を観察することで、各層を構成する元素組成がわかります。デバイス構成によっては層膜厚が分解能以下であるため、各層の組成ずれや層間の元素拡散の度合いが定性的にわかります。

    ◯汚染、不純物の組成特定

    製品の不良解析や原因推定の際に有効な手段です。例えば不良があった半導体製品の表面に意図せず付着しているドロップレットの構造、組成が分かると、原因特定に役立ちます。


    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

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