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検索結果:機器訪問利用カテゴリ「物質」(29件)

    • Ic pin 茨城県
    • 機器訪問利用

    CVD装置

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    薄膜(はくまく)形成装置の一つで、半導体の表面に薄い膜を堆積する装置です。

    可能な実験例

    ◯酸化物系の成膜

    原料に酸素含有ガスを用いることにより、酸化物薄膜が形成できます。例として絶縁膜などに利用されるSiOやAl2O3、強誘電体として利用されるPZT、超伝導体YBCOなどが成膜できます。その他にも多くの酸化物が研究されています。

    ◯化合物系の成膜

    化合物系薄膜が成膜できます。例として太陽電池や 高速通信などに用いられるGaAs、LEDなどに用いられるGaN、パワーデバイスなどに用いられるSiCなどが挙げられます。

    ◯シリコン系の成膜

    広く産業用途で用いられるSiを成膜できます。エピタキシャルSi、polySi、アモルファスSiなど、様々な状態のSiが成膜できます。

    ◯2次元層状化合物の成膜

    近年活発に研究されているグラフェンや金属カルコゲナイドなどを成膜することができます。

    ◯表面処理

    必ずしも平坦でない対象物表面にも処理できるため、凹凸の多い対象の表面処理などに用いられます。例として切削工具などの耐摩耗性を向上させるTiC、TiCNなどがあります。


    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

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    エリプソメーター

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    物質表面での光の入反射光の偏光状態の変化を測定し、薄膜の厚さ、屈折率や吸収係数などの光学定数、または、バルク材の光学定数を解析することができる装置です。非接触・非破壊にて測定が行えます。(http://www.5lab.co.jp/products_MARY.htm)

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    レーザー顕微鏡

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    観察対象物に対して前処理が一切不要で、そのままの状態での観察・測定が可能です。観察視野全てに焦点が合った超深度画像での観察が可能で、短波長レーザと白色光源を併用することで、高解像度と色情報を両立した高精細リアルカラー超深度画像での観察が可能です。非接触なので様々な対象物に対応するうえ、観察視野...

    可能な実験例

    ○半導体の測定

    デバイスの性能を左右する静電ミラーアレイ用電極基盤の3次元形状測定や、透明なマイクロレンズでも、表面の僅かな反射率を検出できるので測定可能です。

    ○電子部品の評価

    フレキシブル基盤のコネクタ部分のラッチ部の形状や、接続時の状態を正確に測定できるので、電子機器の信頼性を評価することができます。

    ○機能性素材の測定

    塗料や粘着テープのように粘性があるもの、繊維などの軟性があるもの、ゴムなどのように弾性があるものでも非接触での表面測定が可能です。

    ○細胞内物質の挙動観察(医学・生理学用)

    一つの細胞内物質が刺激を受けた時に、他の細胞内物質がどう挙動するかを観察することができます。


    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

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    紫外可視分光光度計(UV-Vis)

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    紫外領域と可視領域の光の領域を用いて溶液の吸収スペクトルを測定し定量分析います。

    可能な実験例

    ◯物質の透過率の測定

    物質の透過を測定し、物質の量(濃度や膜厚)から透過率を算出することができます。

    ◯物質の反射率の測定

    試料ステージに反射測定用ユニットを設置することで、物質の反射率を測定することができます。

    ◯物質の吸光度、バンドギャップの算出

    物質の透過率、反射率から、物質の特定波長における吸光度が算出されます(透過測定が振り切っていない場合のみ)。またピークの立ち上がり波長からバンドギャップが算出されます。

    ◯物質のキャリアの確認

    物質がキャリアを持つ場合には、物質の透過スペクトルにおける概ね700nmから長波長側に吸収が見られます。

    ◯特定物質の定性、定量分析

    測定対象物質があらかじめわかっている場合は、吸収ピーク波長のシフトや濃度といった情報が得られます。

    〇その他

    偏光子をもちいることで、物質の光応答性に関する異方性の情報が得られます。配向結晶などに対して計測することで、結晶軸による光応答性の違いがわかります。

    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

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    固体NMR(核磁気共鳴)装置

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    核磁気共鳴法(NMR)は、磁場中での原子核の共鳴現象を利用して、原子レベルの化学構造や分子運動性を解析できる手法です。 試料を溶媒に溶かすことなく測定するため、固体状態そのままの構造情報を得られます。

    可能な実験例

    〇多孔質物質の構造解析

    29Siを測定することで、構造を推定することができます。

    〇ペプチド・ポリペプチドの構造解析

    13Cを測定し、構造を推定することができます。

    〇ダイヤモンドライクカーボン(DLC)の評価

    13Cについてsp3とsp2の割合を解析することで、DLCの評価を行うことができます。

    〇高分子材料における結晶化度の定量

    DD/MAS 法にて得たスペクトルを用いることで、結晶相の炭素、非晶相の炭素の割合を比較することで、結晶化度を測定することができます。


    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

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    走査型電子顕微鏡(SEM)

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    電子線を絞って電子ビームとして対象に照射し、対象物から放出される二次電子、反射電子(後方散乱電子、BSE)、透過電子、X線、カソードルミネッセンス(蛍光)、内部起電力等を検出する事で対象を観察出来る装置です。

    可能な実験例

    〇レジストのパターン形成の観察

    露光、現像後の半導体のパターンを観察することができます。

    〇複合材料(樹脂)の断面の観察

    フィラーや強化繊維などを樹脂に分散させた際に、断面観察により分散状態を観察することができます。

    〇電極断面の観察

    LEDの金属電極断面について、低加速電圧で反射電子像を観察することにより、金属薄膜の結晶の状態を観察することができます。

    〇金属材料の破損原因の分析

    金属材料が破損した際に、原因を分析する1つの手段として、破断面の状態を観察し、原因を分析することができます。

    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

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    EDX(SEM-EDX)

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    SEM(走査型電子顕微鏡)にEDX(エネルギー分散型X線分析装置)を装備しており、観察領域における組成分析・元素マッピングができます。

    可能な実験例

    ○部品の破損原因の特定

    劣化して破損してしまった部品を表面分析することにより、本来部品に含まれていない成分などの有無を調べ、外的要因がないかどうかを判断することができます。

    ○金属中の変色調査

    変色してしまった金属製品を測定しマッピング分析をすることにより、変色箇所に含まれる成分を特定することができます。

    ○無機物質の大まかな材料判定

    未知の無機物質を測定し、標準試料のデータと照らし合わせることで無機物質の大まかな材料判定をすることができます。

    ○電子基板上の微小異物の分析

    電子基板上に発生した微小異物の元素分析をすることにより、有機物か無機物かを判別することができます。


    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

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    EPMA(電子線マイクロアナライザー装置)

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    電子プローブマイクロアナライザ(EPMA)は、物質表面に電子線を照射して、そこから発生する特性X線を計測し、試料を構成する元素とその量を測定することができます。

    可能な実験例

    ◯物質の構成元素の定量分析

    物質を構成する元素の強度比から、定量分析が可能です。電子顕微鏡観察面での分析であり、試料全体の定量分析ではないことに注意が必要です。また標準試料を用いることによって、定量の精度が向上します。

    ◯物質の構成元素の定性分析

    検出したX線の波長からどのような元素が含まれているかわかり、未知物質の組成推定に用いることができます。検出限界は 程度で、0.001質量%(重元素の場合)で、微量成分の分析には向きません。

    ◯相分離構造のマッピング分析

    観察面の各位置から検出された特性X線波長を各元素ごとに色分けすることにより、元素マッピング分析が可能です。合金、磁石、鉱石などの相分離構造観察などに活用されます。

    ◯デバイスの縦方向組成分析

    半導体などのデバイス断面を観察することで、各層を構成する元素組成がわかります。デバイス構成によっては層膜厚が分解能以下であるため、各層の組成ずれや層間の元素拡散の度合いが定性的にわかります。

    ◯汚染、不純物の組成特定

    製品の不良解析や原因推定の際に有効な手段です。例えば不良があった半導体製品の表面に意図せず付着しているドロップレットの構造、組成が分かると、原因特定に役立ちます。


    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

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    X線回折装置(XRD)

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    化合物の同定・定量分析や、結晶構造の解析を行うことができます。

    可能な実験例

    試料の定性・定量分析・相同定

    粉末X線回折法により得られた回折パターンを、既知物質の回折パターンと比較することで試料の定性・定量分析や相同定をすることができます。

    格子定数・イオン半径・原子座標位置の算出

    粉末X線回折法により得られた回折パターンのフィッテングを行うことで、試料の格子定数・イオン半径・原子座標位置を算出することができます。

    分子の三次元構造の決定

    単結晶X線回折法により得られた回折パターンから、分子の三次元構造を決定することができます。

    試料の格子歪・残留応力の測定

    X線回折法により得られた回折パターンから、ピーク位置のずれや幅を測定することで試料の格子歪・残留応力の算出をすることができます。

    結晶方位の測定

    試料に照射するX線の角度を変化させながら、任意の結晶方位の回折ピークを測定することで試料の結晶方位を測定することができます。

    結晶配向性の測定

    特定のピーク位置における回折強度分布を測定することで、結晶の配向性を測定することができます。


    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

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