検索結果：機器訪問利用カテゴリ「EDS」（7件）

本装置は、インレンズサーマル電界放出形電子銃を装備した走査型電子顕微鏡です。低加速電圧時でも効率よく電流が得られるため、高分解能観察が可能です。二次電子検出器以外に反射電子検出器を備えており、試料表面の形状観察だけでなく、試料組成に関する情報も得られます。EDS、EBSDが付帯しており、元素分析や微小構造解析が行えます。

形態観察、元素分析、結晶方位解析

本装置は、冷陰極電界放出形電子銃を装備した走査型電子顕微鏡です。

セミインレンズタイプでUpper/Lowerの2つの検出器を搭載しており二次電子、反射電子の同時観察やリターディング機能により低照射電圧超高分解能観察が可能です。

形態観察、元素分析

電子顕微鏡は、光の代わりに電子（電子線）をあてて拡大する顕微鏡のことです。観察物質の構造や構成成分の違いにより電子線の透過能が異なるので、場所による透過電子の密度の違いを透過顕微鏡像として得ます。透過型電子顕微鏡では、極薄い試料を用いますが、数十万倍にも拡大した像を得ることができます。さらに、原子の周期的な配列に対応した回折現象を利用して、電子回折像が得られます。これは、物質（試料）の性質、特に結晶構造や格子欠陥に関わる重要な情報です。

形態観察、結晶構造解析、元素分析

◯物質の構成元素の定量分析

物質を構成する元素の強度比から、定量分析が可能です。電子顕微鏡観察面での分析であり、試料全体の定量分析ではないことに注意が必要です。また標準試料を用いることによって、定量の精度が向上します。

◯物質の構成元素の定性分析

検出したX線の波長からどのような元素が含まれているかわかり、未知物質の組成推定に用いることができます。検出限界は 程度で、0.001質量％（重元素の場合）で、微量成分の分析には向きません。

◯相分離構造のマッピング分析

観察面の各位置から検出された特性X線波長を各元素ごとに色分けすることにより、元素マッピング分析が可能です。合金、磁石、鉱石などの相分離構造観察などに活用されます。

◯デバイスの縦方向組成分析

半導体などのデバイス断面を観察することで、各層を構成する元素組成がわかります。デバイス構成によっては層膜厚が分解能以下であるため、各層の組成ずれや層間の元素拡散の度合いが定性的にわかります。

◯汚染、不純物の組成特定

製品の不良解析や原因推定の際に有効な手段です。例えば不良があった半導体製品の表面に意図せず付着しているドロップレットの構造、組成が分かると、原因特定に役立ちます。

※組織により上記実験ができない場合がございます。

・SEM画像観察
・EDS元素分析
・CLカソードルミネッセンス解析

・表面観察

・SEM画像観察
・サンプルの電子ビーム加工
・真空中での断面加工部観察とEDS元素分析
・EBSD結晶構造解析

・表面観察
・表面加工