検索結果：機器訪問利用カテゴリ「X線」（10件）

本装置は、全自動水平型多目的X線回折装置(XRD)です。

粉末、バルク、薄膜など多様なニーズに対応し、ガイダンス機能を持ったアプリケーションにより最適な測定条件で分析が行えます。また専用の解析アプリケーションにより定性分析、定量分析、結晶化度、配向度、結晶子サイズ分布、膜厚、残留応力など様々な解析が可能です。

・粉末、バルクの定性分析、定量分析（2θ/θ測定）
・薄膜試料の定性分析（2θ（斜入射）測定、インプレーン測定）
・結晶方位分布や配向性の分析（極点測定、ロッキングカーブ測定）
・結晶化度の分析（2θ/θ測定）
・粉末、バルクの高温での相変態、格子定数変化（温度制御2θ/θ測定）
・加工材料の残留応力分析
・単結晶基板とエピタキシャル薄膜の結晶方位関係、格子定数の解析（逆格子マップ測定）

粉末、バルク、薄膜の結晶構造解析

○合金めっき膜圧の測定

合金めっきをした試料材料を測定し各成分のスペクトルを分析することによって密度、付着量、膜厚を求めることができます。

○基板の電極部周辺の面分析

基板の電極部分を測定し元素マッピングすることによって金属の分布を知ることができます。

○岩石の成分分析

岩石粉体状に砕き測定することで岩石に含まれる成分の種類と量などを分析することができます

○廃液の成分分析

廃液を液体のまま測定することによって、液中に含まれる成分や量などを分析することができます。

※組織により上記実験ができない場合がございます。

試料の定性・定量分析・相同定

粉末X線回折法により得られた回折パターンを、既知物質の回折パターンと比較することで試料の定性・定量分析や相同定をすることができます。

格子定数・イオン半径・原子座標位置の算出

粉末X線回折法により得られた回折パターンのフィッテングを行うことで、試料の格子定数・イオン半径・原子座標位置を算出することができます。

分子の三次元構造の決定

単結晶X線回折法により得られた回折パターンから、分子の三次元構造を決定することができます。

試料の格子歪・残留応力の測定

X線回折法により得られた回折パターンから、ピーク位置のずれや幅を測定することで試料の格子歪・残留応力の算出をすることができます。

結晶方位の測定

試料に照射するX線の角度を変化させながら、任意の結晶方位の回折ピークを測定することで試料の結晶方位を測定することができます。

結晶配向性の測定

特定のピーク位置における回折強度分布を測定することで、結晶の配向性を測定することができます。


※組織により上記実験ができない場合がございます。

・薄膜の反射率測定
・薄膜膜厚測定
・液体含有物の粒径測定
・ゲルの空孔分布
・BB法
・PB法
・Inplane測定
など

・残留応力測定
・結晶成分分析
など

電子顕微鏡は、光の代わりに電子（電子線）をあてて拡大する顕微鏡のことです。観察物質の構造や構成成分の違いにより電子線の透過能が異なるので、場所による透過電子の密度の違いを透過顕微鏡像として得ます。透過型電子顕微鏡では、極薄い試料を用いますが、数十万倍にも拡大した像を得ることができます。さらに、原子の周期的な配列に対応した回折現象を利用して、電子回折像が得られます。これは、物質（試料）の性質、特に結晶構造や格子欠陥に関わる重要な情報です。

形態観察、結晶構造解析、元素分析

・既知有機化合物の光学異性体識別

キラル分子のCDスペクトルは横軸を中心として対称となります。そのため、容易に光学異性体の識別が可能となります。また、既に構造が判明している化合物の類似体について、CDスペクトルを比較することによって立体配置の推定も可能です。

・タンパク質の二次構造推定

タンパク質に含まれるαヘリックス、βシート、不規則構造において、それぞれ特徴的なコットン効果が確認されています。構造未知のタンパク質のCDスペクトルを測定することで、ヘリックス含量の推定が可能となります。

・核酸の立体配座解析

DNAを構成する核酸は、二重らせん構造のピッチや含有する塩基によって特徴的なコットン効果を示します。なので、その立体配座解析のためにCDスペクトル測定が有用です。

・食品の昆虫混入時期推定

昆虫の体を構成するタンパク質が加熱処理により変性する性質を用いて、加熱処理の前後どちらで混入したかを推定することが可能です。昆虫類が特異的に有するタンパク質を測定対象にし、その二次構造変化を追うことで実現します。

※組織により上記実験ができない場合がございます。

〇レジストのパターン形成の観察

露光、現像後の半導体のパターンを観察することができます。

〇複合材料(樹脂)の断面の観察

フィラーや強化繊維などを樹脂に分散させた際に、断面観察により分散状態を観察することができます。

〇電極断面の観察

LEDの金属電極断面について、低加速電圧で反射電子像を観察することにより、金属薄膜の結晶の状態を観察することができます。

〇金属材料の破損原因の分析

金属材料が破損した際に、原因を分析する1つの手段として、破断面の状態を観察し、原因を分析することができます。

※組織により上記実験ができない場合がございます。

○部品の破損原因の特定

劣化して破損してしまった部品を表面分析することにより、本来部品に含まれていない成分などの有無を調べ、外的要因がないかどうかを判断することができます。

○金属中の変色調査

変色してしまった金属製品を測定しマッピング分析をすることにより、変色箇所に含まれる成分を特定することができます。

○無機物質の大まかな材料判定

未知の無機物質を測定し、標準試料のデータと照らし合わせることで無機物質の大まかな材料判定をすることができます。

○電子基板上の微小異物の分析

電子基板上に発生した微小異物の元素分析をすることにより、有機物か無機物かを判別することができます。

※組織により上記実験ができない場合がございます。

◯物質の構成元素の定量分析

物質を構成する元素の強度比から、定量分析が可能です。電子顕微鏡観察面での分析であり、試料全体の定量分析ではないことに注意が必要です。また標準試料を用いることによって、定量の精度が向上します。

◯物質の構成元素の定性分析

検出したX線の波長からどのような元素が含まれているかわかり、未知物質の組成推定に用いることができます。検出限界は 程度で、0.001質量％（重元素の場合）で、微量成分の分析には向きません。

◯相分離構造のマッピング分析

観察面の各位置から検出された特性X線波長を各元素ごとに色分けすることにより、元素マッピング分析が可能です。合金、磁石、鉱石などの相分離構造観察などに活用されます。

◯デバイスの縦方向組成分析

半導体などのデバイス断面を観察することで、各層を構成する元素組成がわかります。デバイス構成によっては層膜厚が分解能以下であるため、各層の組成ずれや層間の元素拡散の度合いが定性的にわかります。

◯汚染、不純物の組成特定

製品の不良解析や原因推定の際に有効な手段です。例えば不良があった半導体製品の表面に意図せず付着しているドロップレットの構造、組成が分かると、原因特定に役立ちます。

※組織により上記実験ができない場合がございます。