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次世代二次電池の開発では、セル性能やサイクル寿命を客観的データで示すことが求められます。本試験では、東洋システム製の充放電試験機（TOSCAT-3000：〜5V/〜5A・20ch、TOSCAT-3100：〜5V/〜100mA・100ch）を用い、-20〜65℃の恒温槽内で温度を制御しながら充放...
【1】東洋システム製充放電試験機を電流レンジで使い分け可能（TOSCAT-3000：〜5V/〜5A・20ch、TOSCAT-3100：〜5V/〜100mA・100ch）。試験対象の容量に応じた最適配置ができる
【2】恒温槽による-20〜65℃の温度制御に対応。低温・常温・高温域での充放電特性比較が可能
【3】試験方法の要望対応・試験計画の立案いずれも可。条件設計から伴走可能
【4】次世代電池開発で実運用している試験機を使用。学会発表・論文・特許に耐えるデータ品質を確保できる
【5】サンプル数・評価日数が大きい案件には割引対応可能（要相談）
◆受託可能な試験・解析内容
【1】TOSCAT-3000を用いた充放電試験（電圧〜5V／電流〜5A／20ch）
【2】TOSCAT-3100を用いた充放電試験（電圧〜5V／電流〜100mA／100ch）
【3】-20〜65℃の恒温槽による温度制御下での充放電試験
【4】試験計画の立案・試験条件設計を含む伴走型の充放電試験
【5】関連試験：BioLogic SP-150によるインピーダンス試験（25℃）
◆用途例
【1】次世代二次電池（リチウムイオン・全固体・ポストリチウム等）のセル性能評価
【2】開発フェーズにおける充放電サイクル特性データの取得
【3】学会発表・論文・特許申請向けの根拠データ整備
【4】温度依存性評価（低温〜高温域における充放電挙動の比較）
【5】電極材料・電解質改良時の性能比較・条件最適化
二次電池セル・パックの充放電サイクル試験およびばらつき評価を受託します。最大72セルを同時に試験できる充放電機能付き恒温槽（セルメーカー・公的評価機関クラスの設備）を保有しており、数セルのサンプルでは見えにくい「ロット全体のばらつき傾向」の把握に強みがあります。 自社装置が埋まっている、設備...
・最大72セル同時試験（24セル×3槽）でロット単位のばらつき評価が可能。電池パックに数十〜数百本のセルが搭載される現在、セル選別・グルーピングのニーズに直接応えられる。
・セルメーカー・公的評価機関しか通常保有しない「充放電機能付き恒温槽」を民間ラボとして保有。外注先として国内でも希少な存在。
・24時間無人連続運転対応。100〜数百サイクルの長期試験を預けて走らせ続けることが可能。
・大型パック（24〜48V系、AGV・フォークリフト・大型ポータブル電源・鉛電池）にも対応。
◆ 受託可能な試験内容
・セル充放電サイクル試験（容量・電圧・表面温度の経時記録）
・電池パック充放電試験（大型24〜48V系含む）
・セルばらつき評価・不活性電池の選別
・長期在庫品の補充電・品質確認試験
・インピーダンス測定（AC-IR）：セル〜100Vクラスパックまで
二次電池セル・パックの不具合解析を受託します。X線CT・赤外線サーモカメラ・インピーダンス測定・BMS回路解析を組み合わせ、内部状態を非破壊で可視化して原因究明を支援します。 「海外製電池の不具合品を輸送規制（IATA・フェデックス等）で現地に返送できない」という課題に対して、国内ラボで解析...
・X線CT（島津製作所製）による非破壊3D内部検査。セル・パック内部を壊さずに可視化でき、充放電試験・外観検査では発見しにくい内部の異常を検出できる。
・リチウムイオン電池不具合品の輸送規制が世界的に厳格化するなか、国内で解析を完結できる希少な民間ラボ。
・海外工場エンジニアとのWebリモート連携実績あり。現地技術者の指示に従いながら国内ラボで計測・解析を進めるフローが可能。
・パック分解→解析→スポット溶接での復旧→再試験まで、同一ラボ内でワンストップで完結。
・中国語（数名在籍）・英語・韓国語対応。海外メーカーとの技術的なやりとりも仲介可能。
◆受託可能な解析内容
・X線非破壊検査（2D透過・3D CT断層像）：内部構造確認・異常箇所の推定
・赤外線サーモグラフィ解析：発熱部位の特定・充放電中の温度変化記録
・インピーダンス解析（AC-IR）：劣化・内部短絡の傾向確認
・BMS回路波形解析：電池パック制御基板の不具合解析
・パック分解・制御基板確認・スポット溶接による復旧
・デジタル顕微鏡による拡大目視解析（260倍、寸法測定）
蛍光X線により、試料に含まれる元素の定性及び半定量分析を行う装置です。 波長分散型蛍光X線分析装置に比べて測定が簡単で、幅広い試料（食品・ 材料・産廃・文化財）の元素分析にご利用いただけます。
1.半導体のホール効果測定（測定温度：20 Kから1060 K） ・抵抗率の温度依存性・多数キャリア密度の温度依存性・多数キャリアの移動度の温度依存性 2.多数キャリア密度の温度依存性からの解析・評価（FCCS法） ・ドーパント(ドナー、アクセプタ)の密度とエネルギー準位の評価 ・多数キャリア...
試験方法の要望対応可能
試験計画の立案可能
半導体工学の専門家によるアドバイスや共同研究が可能
半導体開発
