細胞培養、DNA、RNA、タンパク質、微生物などを用いた実験が可能です。長期間(1ヶ月〜)の利用が可能です。
都産技研、産総研、がん研に近いお台場エリアなので、共同研究・機器利用等のホームベースとしてピッタリです。
居室あり
ラボのWiFi利用可能
駐車場有(有料)
【化学実験】
有機合成実験
定性分析
【細胞培養実験】
細胞毒性試験
抗老化試験
細胞生存
細胞増殖
細胞遊走
酵素活性
【タンパク質実験】
タンパク質合成(大腸菌、酵母)
建物内にはレストラン・カフェ・コワーキングスペース・会議室・バー・ジム・スカイデッキなどがあり、リフレッシュにも最適です。
平日・休日問わず利用可能なこのラボで、あなたの研究アイデアを実現させませんか。
蛍光X線により、試料に含まれる元素の定性及び半定量分析を行う装置です。 エネルギー分散型蛍光X線分析装置に比べて精密な分析が可能です。 幅広い試料の元素分析にご利用いただけます。
蛍光X線により、試料に含まれる元素の定性及び半定量分析を行う装置です。 波長分散型蛍光X線分析装置に比べて測定が簡単で、幅広い試料(食品・ 材料・産廃・文化財)の元素分析にご利用いただけます。
プラズマを用いて水溶液に含まれる元素の定性・定量分析を行います。ICP-AESに比べてより低濃度の試料測定が可能です。河川水、海水、エアロゾル、土壌等の微量元素分析で利用できます。
試料を構成している元素間の振動や回転についての情報を得ることで、試料の構造推定や定性分析に利用できます。粉末試料をKBrと混合してペレット化したサンプルを透過法で測定します。有機物から無機物までの幅広い機能性材料の研究開発に利用できる装置です。測定可能範囲は400から8000cm-1です。AT...
有機化合物の定性・定量、混合物の成分分析
本装置は、液体クロマトグラフ質量分析計(LC/MS)であり、中極性~高極性の溶媒に溶けやすい試料について、HPLC(High Performance Liquid Chromatography)によって成分の分離を行い、同時にその成分の質量(≒分子量)を測定することができます。このような成分同定を目的とした定性分析の他に、適切な標準試料があれば定量分析も可能です。
本装置は、TOF(Time Of Fright)型質量分離部を備えるため、高分解能測定(分解能(FWHM)約15,000)による精密質量から、分子式の同定をすることができます。また、前段にLIT(Linear Ion Trap)を備えるタンデム型のため、MS/MS測定モードで測定することもできます。これにより、定性分析ではMS/MSによるフラグメントイオンの解析により構造情報が得られます。
イオン化法は、ESI(エレクトロスプレーイオン化)と、APCI(大気圧化学イオン化)があります。ESIは中~高極性、APCIは中極性の試料に用いられることが多いです。そのため、ヒドロキシ基、カルボキシ基などのプロトン性官能基を持つ化合物や、イオン性試料は測定しやすいです。極性の低い脂肪族化合物や芳香族化合物は、測定できないこともあります。
有機化合物の定性分析・簡易分析
本装置は、薄層クロマトグラフ質量分析計(TLC-MS)と呼ばれる装置です。あらかじめ薄層クロマトグラフィ(TLC)によって成分を分離したTLCプレートを用意し、それを装置のホルダに取り付けることで、直接に成分分析ができる質量分析計となっています。TLCプレート用のホルダが付いていますが、それ以外でもガラス棒などに直接塗布して測定することもできます。
質量分析のイオン化には、いわゆる「アンビエントイオン化」を使った装置であり、DRAT (Direct Analysis in Real Time) という名前のイオン源装置を備えています。DARTは、ヘリウムガスをプラズマ放電により励起し、試料に吹き付けることでイオン化させる手法です。大気圧中において、試料とガスの接触によりイオン化しますので、真空チャンバーに入れたり、前処理をしたりする必要がありません。そのため、リアルタイムにスペクトルが取れ、簡単に測定することができます。
また、本装置は質量分離装置が四重極質量分析計(Q-MS)となっており、比較的高感度に測定できます。ただし、Q-MSは、スペクトル分解能が低いため、小数点以下の精密質量測定はできません。
粉末、バルク、薄膜の結晶構造解析
本装置は、全自動水平型多目的X線回折装置(XRD)です。
粉末、バルク、薄膜など多様なニーズに対応し、ガイダンス機能を持ったアプリケーションにより最適な測定条件で分析が行えます。また専用の解析アプリケーションにより定性分析、定量分析、結晶化度、配向度、結晶子サイズ分布、膜厚、残留応力など様々な解析が可能です。
・粉末、バルクの定性分析、定量分析(2θ/θ測定)
・薄膜試料の定性分析(2θ(斜入射)測定、インプレーン測定)
・結晶方位分布や配向性の分析(極点測定、ロッキングカーブ測定)
・結晶化度の分析(2θ/θ測定)
・粉末、バルクの高温での相変態、格子定数変化(温度制御2θ/θ測定)
・加工材料の残留応力分析
・単結晶基板とエピタキシャル薄膜の結晶方位関係、格子定数の解析(逆格子マップ測定)