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検索結果:すべてのカテゴリ「薄膜」(19件)

    • Ic pin 東京都
    • レンタルラボ

    【東京】薄膜ディップコーティング装置、施設のレンタルラボ

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    様々な形状の基盤への基板前処理(洗浄) ⇒ ディップコーター ⇒ 乾燥といった一連の工程(部分工程)を利用できる施設を提供しています。ディップコーティング、スピンコーティング、UVオゾン洗浄表面改質装置などを完備しています。

    ・機器の持ち込み可
    ・廃液処理可

    • 委託

    半導体製造・薄膜加工プロセス向け数値計算/シミュレーションシステム導入支援・産学連携支援・コンサルティング

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    物理気相成長(PVD)、化学気相成長(CVD)、プラズマエッチング、電子ビーム、露光プロセスなどの半導体製造・薄膜加工や検査工程に関する数値計算システムの導入支援を行います。当事業では商用ツールではなく大学の研究室等で開発されているシステムの産学連携による活用を想定しています。海外大学・研究機...

    用途例

    ・表面波プラズマの電磁場解析
    半導体製造プロセスで多く用いられるのは容量結合型誘導結合型放電という方式で、商用シミュレーションツールの応用例も豊富ですが、高密度のプラズマを生成する表面波モードのマイクロ波励起プラズマに対応した商用ツールは少数です。一方、例えば金属機械部品の摩擦低減のためのダイヤモンドライクカーボン(DLC)成膜手法として表面波プラズマは注目されていて、シミュレーション研究もされています。このようなシミュレーションシステムの実用化を行います。

    ・デバイス微細加工成膜時の形状進展の解析
    形状進展シミュレーションは歴史の長い商用ツールがありますが、ウエットエッチングや化学的気相反応(CVD)など個々の加工プロセスについて物理・化学モデルが十分に備わっているとは言えません。また、大手半導体メーカーが生産するプロセッサやメモリ向けではなく、例えばマイクロLED作製のための窒化ガリウム(GaN)の成膜・加工などの用途では応用例が少なく、大手ベンダの商用ツールでは対応が困難です。上記のようなプロセスや用途に特化した形状進展シミュレーションの実現します。

    結晶液相成長の解析
    液相成長による単結晶材料の製造は、半導体向けのシリコンウエハを始めとして日本の得意分野であり、結晶成長過程の数値シミュレーション研究も盛んに行われてきましたが、商用ツールは少数です。一方で単結晶材料開発の研究は近年も盛んであり、大学発ベンチャーによる事業化も目立ちます。液相成長は長時間を要するため、シミュレーションによるプロセス最適化生産効率の向上を実現します。

    • 委託

    走査電子顕微鏡(SEM-EDS)による表面形状観察・元素マッピング解析

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    10000倍程度まで拡大可能な電子顕微鏡(SEM)で、表面形状観察を行います。元素組成の定性・定量分析(EDX)が可能で、金属・電気部品、食品・医薬品などの材料確認や異物・不良解析に利用可能です。

    用途例

    薄膜・金属等の材料研究、細胞や組織などの生物サンプルの解析など

    • Ic pin 埼玉県
    • レンタルラボ
      産学連携

    【埼玉】大学のナノバイオ実験施設。質量分析等装置完備(産学連携先)

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    ナノエレクトロニクス、ナノマテリアル合成、微細加工、デバイス作製や、最先端機器を利用した計測を行うことができます。スーパークリーンルーム、バイオ系実験用クリーンルームを完備し、最先端機器であるTEMやEB描画装置等の装置を多数完備し、合成からバイオ実験までを一気通貫で行うことができます。

    ・機器の持ち込み可能
    ・廃液処理対応も可能
    ・委託実験については要相談
    ・技術指導については要相談
    ・居室有
    ・最先端機器(TEM、SEM)や、デバイス作製用クリーンルーム、バ  イオ実験室クリーンルーム完備

    可能な実験例

    ・ナノエレクトロニクス材料作製・評価
    DNA細胞培養たんぱく質の解析、形態観察
    ・ナノカーボン材料合成、評価(フラーレン、カーボンナノチューブ、ナノグラファイト、グラフェン
    ・バイオ、ナノ融合研究

    用途例

    バイオセンサ開発
    ・マイクロ流路作製
    ・電子デバイス作製
    電子線描画装置によるレジストパーターン作製
    FIBを利用したTEM薄膜作製
    ・コバルト内包カーボンナノアニオンのTEM像と制限視野回折観察
    ・空中配線された量子ドットを有するナノ電子デバイスのSEM観察
    ・デオキシリボ核酸DNA)のAFM観察
    CMCマグネティックナノ粒子FT-IR分析
    ・単層CNTのラマンマッピング
    ・量子ドットの励起蛍光すペクトル(NIR-PLE)
    XPSによるグラフェン構造の評価
    ・オージェ電子分光による酸化グラフェン薄膜依存性
    飛行時間型二次イオン質量分析装置によるSiO元素深さ方向分布
    ・超電導材料の磁気特性(SQUID/VSM)測定
    ・硫酸銅のTG-DTA曲線
    ・カーボン材料の窒素ガス吸脱等温線(比表面積細孔分布計測)
    およびアクチンフィラメントを蛍光染色した食道がん細胞共焦点レーザー顕微鏡観察
    アポトーシスを起こしたJurket Cellsの蛍光染セルソータ
    ・ポリイプシロンカプロラクトンのMALDI-TOF-MSによる構造解析

    • Ic pin 神奈川県
    • 機器訪問利用

    フーリエ変換赤外分光光度計(FT-IR)

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    有機化合物の構造解析、材料の表面・バルク分析、マイクロ粒子の分析

    赤外吸収分光計(IR)はサンプルに赤外線を照射し、それによるサンプルの物質がどの周波数(通常は波数)の赤外線を吸収しているかを測定する装置です。分子や原子はそれぞれ固有の振動をしていますが、波長(スペクトル上では波数)を連続的に変化させながら赤外線(infrared : IR)を照射すれば、分子の固有振動と同じ周波数のIRが吸収され、分子の構造に応じたスペクトルが得られるはずです。これにより、サンプルが予測できるものであれば、既知のスペクトルと比較して、同定、確認ができますし、また、多重結合、官能基、シス-トランス異性、水素結合などの分子構造に関する知見を得ることもできます。
    なお、実際の測定原理は干渉計を利用したフーリエ分光法を用いていて、より高い波数の再現性を持っています。現在はこれらのFT-IRが一般的になっています。検出器は、焦電型のDTGS検出器と、半導体型のMCT検出器を備え、高感度分析にも対応しています。

    試料は、サンプルセルを換えることにより、固体、液体の状態で測定できます。通常、固体はサンプルをKBrに分散させるKBr法、液体は原液のまま測定する液膜法と溶媒に溶かす溶液法を用います。また、1回反射ATRユニットや高感度反射ユニットを用いることで固体、液体、フィルム状など、様々な状態の試料にも対応できます。その他、顕微IR用の顕微鏡アタッチメントを比較的簡単に据え付けることができ、微少領域の測定をすることが可能です。

    可能な実験例

    有機化合物構造解析、材料の表面・バルク分析、マイクロ粒子の分析

    用途例

    透過法セルホルダや各種ユニットを使用することで、様々な試料状態(液体・粉末・固形物気体など)の非破壊による測定ができて、試料の分子構造解析ができます。
    スペクトルデータ比較することにより、成分分析ができることがあります(ただし、付属のデータベースはないため別途スペクトルデータが必要です)。
    ・顕微法を用いることにより、10μm以上のサイズの粒子などを分析することができます。
    高分子材料の表面・バルクの分析をすることができます。
    ・高感度反射測定により、金属表面分子膜などを測定できます。

    • Ic pin 神奈川県
    • 機器訪問利用

    紫外可視分光光度計:V-560

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    化合物の光学特性の測定、公定法による定量

    溶液、薄膜等の紫外~可視光域(190~900nm)での吸光度を測定します。ダブルビーム方式であるため、シングルビームより安定度の高い、研究向けの装置です。
    物質の光学特性の評価だけでなく、薄膜の膜厚や、コロイド結晶の配列状態を調べたりするのに活躍しています。

    可能な実験例

    化合物の光学特性の測定、公定法による定量

    • Ic pin 神奈川県
    • 機器訪問利用

    多目的X線回折装置SmartLab

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    粉末、バルク、薄膜の結晶構造解析

    本装置は、全自動水平型多目的X線回折装置(XRD)です。

    粉末、バルク、薄膜など多様なニーズに対応し、ガイダンス機能を持ったアプリケーションにより最適な測定条件で分析が行えます。また専用の解析アプリケーションにより定性分析、定量分析、結晶化度、配向度、結晶子サイズ分布、膜厚、残留応力など様々な解析が可能です。

    ・粉末、バルクの定性分析、定量分析(2θ/θ測定)
    ・薄膜試料の定性分析(2θ(斜入射)測定、インプレーン測定)
    ・結晶方位分布や配向性の分析(極点測定、ロッキングカーブ測定)
    ・結晶化度の分析(2θ/θ測定)
    ・粉末、バルクの高温での相変態、格子定数変化(温度制御2θ/θ測定)
    ・加工材料の残留応力分析
    ・単結晶基板とエピタキシャル薄膜の結晶方位関係、格子定数の解析(逆格子マップ測定)

    可能な実験例

    • Ic pin 東京都
    • 機器訪問利用

    集束イオンビーム(FIB)装置

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    集束したイオンビームを試料に照射し、加工や観察を行う装置です。

    可能な実験例

    SIM観察

    イオンスパッタ時に放出される二次電子を信号として可視化することにより画像として得られます。SIM像は、SEM像に比べて組成や結晶方位のコントラストが強く現れるため、金属などの微細構造組成の分布観察や結晶粒の観察などに適しています。

    ◯マイクロサンプリング

    透過型電子顕微鏡(TEM:Transmission Electron Micro-scope)などにより微少領域を観察する際などに用いる微少ブロックの形成(マイクロサンプリング法)に用いられます。TEM 試料台に搭載後、ビームの特性とマニピュレータ機能を組み合わせて、厚さ100nm程度の目的部位を摘出します。またFIB加工と顕微鏡観察を繰り返し、得られた連続画像をコンピューター上で再構成することにより、試料の三次元構造解析が可能となります。

    ◯破断の難しい試料の電子顕微鏡観察像取得

    試料の断面構造を観察する場合に、破断の難しい試料(金属や有機物など柔らかく、破断前後で形状が変わってしまうの)にも機械的なストレスを与えることなく断面を得ることができます。例として半田ボールの断面加工や有機系太陽電池などが挙げられ、EDXなどの組成分析とあわせて活用できます。

    ◯微少領域の断面加工

    試料が均質でなく、観察したい箇所が試料断面の一部分や数μm程度の大きさである場合も、SIM観察しながら細く絞ったビームで断面加工を行うことができます。例として基板上の異物観察による成長メカニズム解析、めっきの不良箇所、未着部分観察など、狙って断面を出すことが難しい試料でも加工を行うことができます。


    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

    • Ic pin 東京都
    • 機器訪問利用

    原子間力顕微鏡(AFM)

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    料と探針の原子間にはたらく力を検出して画像を得る装置です。

    可能な実験例

    膜厚測定

    基材と薄膜界面近辺を測定することにより、膜厚がわかります。例として蒸着膜やSAMs、LB膜などが挙げられます。分子構造と膜厚から層数がわかることもあります。

    ◯原子レベル平坦結晶面の観察研磨した単結晶基板単結晶のへき開面などは原子レベルで平坦なことがあり、AFMによりステップ&テラス構造が観察されることがあります。結晶面の成長過程観察により成長メカニズムの解明に役立ちます。

    ◯表面荒さの測定

    観察した表面の荒さや凹凸の度合いを測定することができます。平均面荒さ(Ra)や自乗平均面荒さ(RMS)、面内最大高低差(Rmax)といった数値であらわされます。

    ◯生体材料の測定

    タッピングモードやノンコンタクトモード測定などを用いることにより、対象物を破壊することなく測定することができます。柔らかく変位し易い生体材料などの表面測定に適しており、プローブのしなりなどから細胞膜の弾性率などを測定することもできます。


    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

    • Ic pin 東京都
    • 機器訪問利用

    ビッカース硬さ試験機

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    工業材料のビッカース硬度測定に使う機械です。

    可能な実験例

    めっき鋼板の強度測定

    鋼板表面の5点の硬さ試験を行い、最大値と最小値を除いた3点の硬さの平均値を求めることで鋼板の強度を測定することが可能です。

    樹脂組成物の復元率の評価

    一定荷重に到達後、抜重した時の頂部の荷重前の頂部に対する復元率を評価します。

    〇 研削用粉末の硬度測定

    細かな粉末の場合でも圧痕の位置を微調整することが可能なので硬さを測定することが可能です。

    溶接材の硬度測定

    硬化肉盛用溶接材料のような厚さ2.5~5mmの溶接材の硬さもビッカース硬さ試験で測定可能です。


    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

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