検索結果：すべてのカテゴリ「電子線」（7件）

◯物質の構成元素の定量分析

物質を構成する元素の強度比から、定量分析が可能です。電子顕微鏡観察面での分析であり、試料全体の定量分析ではないことに注意が必要です。また標準試料を用いることによって、定量の精度が向上します。

◯物質の構成元素の定性分析

検出したX線の波長からどのような元素が含まれているかわかり、未知物質の組成推定に用いることができます。検出限界は 程度で、0.001質量％（重元素の場合）で、微量成分の分析には向きません。

◯相分離構造のマッピング分析

観察面の各位置から検出された特性X線波長を各元素ごとに色分けすることにより、元素マッピング分析が可能です。合金、磁石、鉱石などの相分離構造観察などに活用されます。

◯デバイスの縦方向組成分析

半導体などのデバイス断面を観察することで、各層を構成する元素組成がわかります。デバイス構成によっては層膜厚が分解能以下であるため、各層の組成ずれや層間の元素拡散の度合いが定性的にわかります。

◯汚染、不純物の組成特定

製品の不良解析や原因推定の際に有効な手段です。例えば不良があった半導体製品の表面に意図せず付着しているドロップレットの構造、組成が分かると、原因特定に役立ちます。

※組織により上記実験ができない場合がございます。

・機器の持ち込み可能
・廃液処理対応も可能
・委託実験については要相談
・技術指導については要相談
・居室有
・最先端機器（TEM、SEM）や、デバイス作製用クリーンルーム、バ　　イオ実験室クリーンルーム完備

・ナノエレクトロニクス材料作製・評価
・DNA、細胞培養、たんぱく質の解析、形態観察
・ナノカーボン材料合成、評価（フラーレン、カーボンナノチューブ、ナノグラファイト、グラフェン）
・バイオ、ナノ融合研究

・バイオセンサ開発
・マイクロ流路作製
・電子デバイス作製
・電子線描画装置によるレジストパーターン作製
・FIBを利用したTEM用薄膜作製
・コバルト内包カーボンナノアニオンのTEM像と制限視野回折観察
・空中配線された量子ドットを有するナノ電子デバイスのSEM観察
・デオキシリボ核酸（DNA）のAFM観察
・CMCマグネティックナノ粒子のFT-IR分析
・単層CNTのラマンマッピング
・量子ドットの励起蛍光すペクトル（NIR-PLE）
・XPSによるグラフェン構造の評価
・オージェ電子分光による酸化グラフェンの薄膜依存性
・飛行時間型二次イオン質量分析装置によるSiとO元素の深さ方向分布
・超電導材料の磁気特性（SQUID/VSM)測定
・硫酸銅のTG-DTA曲線
・カーボン材料の窒素ガス吸脱等温線（比表面積細孔分布計測）
・核およびアクチンフィラメントを蛍光染色した食道がん細胞の共焦点レーザー顕微鏡観察
・アポトーシスを起こしたJurket Cellsの蛍光染（セルソータ）
・ポリイプシロンカプロラクトンのMALDI-TOF-MSによる構造解析

電子顕微鏡は、光の代わりに電子（電子線）をあてて拡大する顕微鏡のことです。観察物質の構造や構成成分の違いにより電子線の透過能が異なるので、場所による透過電子の密度の違いを透過顕微鏡像として得ます。透過型電子顕微鏡では、極薄い試料を用いますが、数十万倍にも拡大した像を得ることができます。さらに、原子の周期的な配列に対応した回折現象を利用して、電子回折像が得られます。これは、物質（試料）の性質、特に結晶構造や格子欠陥に関わる重要な情報です。

形態観察、結晶構造解析、元素分析

○合金めっき膜圧の測定

合金めっきをした試料材料を測定し各成分のスペクトルを分析することによって密度、付着量、膜厚を求めることができます。

○基板の電極部周辺の面分析

基板の電極部分を測定し元素マッピングすることによって金属の分布を知ることができます。

○岩石の成分分析

岩石粉体状に砕き測定することで岩石に含まれる成分の種類と量などを分析することができます

○廃液の成分分析

廃液を液体のまま測定することによって、液中に含まれる成分や量などを分析することができます。

※組織により上記実験ができない場合がございます。

〇生体組織や無機マテリアルの微細構造評価

TEMの非常に高い倍率，分解能という特性から，原子レベルでの観察がおこなえます。そのため，光学顕微鏡では観察が困難な，似て非なる構造も捉えることができます。

〇免疫標識による生物のタンパク質局在解析

目的の探索物質に反応する抗体で標識することで，微細構造上でタンパク質などの探索物質の局在を観察することができます。抗体反応を色で観察することはできないため，金コロイドなどで標識する必要があります。

〇固体の結晶構造解析

試料に電子線を当てたときの回析パターンから，結晶構造を推測，決定することができます。

※組織により上記実験ができない場合がございます。

〇レジストのパターン形成の観察

露光、現像後の半導体のパターンを観察することができます。

〇複合材料(樹脂)の断面の観察

フィラーや強化繊維などを樹脂に分散させた際に、断面観察により分散状態を観察することができます。

〇電極断面の観察

LEDの金属電極断面について、低加速電圧で反射電子像を観察することにより、金属薄膜の結晶の状態を観察することができます。

〇金属材料の破損原因の分析

金属材料が破損した際に、原因を分析する1つの手段として、破断面の状態を観察し、原因を分析することができます。

※組織により上記実験ができない場合がございます。

○部品の破損原因の特定

劣化して破損してしまった部品を表面分析することにより、本来部品に含まれていない成分などの有無を調べ、外的要因がないかどうかを判断することができます。

○金属中の変色調査

変色してしまった金属製品を測定しマッピング分析をすることにより、変色箇所に含まれる成分を特定することができます。

○無機物質の大まかな材料判定

未知の無機物質を測定し、標準試料のデータと照らし合わせることで無機物質の大まかな材料判定をすることができます。

○電子基板上の微小異物の分析

電子基板上に発生した微小異物の元素分析をすることにより、有機物か無機物かを判別することができます。

※組織により上記実験ができない場合がございます。