検索結果：すべてのカテゴリ「CVD」（4件）

◯酸化物系の成膜

原料に酸素含有ガスを用いることにより、酸化物薄膜が形成できます。例として絶縁膜などに利用されるSiOやAl2O3、強誘電体として利用されるPZT、超伝導体YBCOなどが成膜できます。その他にも多くの酸化物が研究されています。

◯化合物系の成膜

化合物系薄膜が成膜できます。例として太陽電池や 高速通信などに用いられるGaAs、LEDなどに用いられるGaN、パワーデバイスなどに用いられるSiCなどが挙げられます。

◯シリコン系の成膜

広く産業用途で用いられるSiを成膜できます。エピタキシャルSi、polySi、アモルファスSiなど、様々な状態のSiが成膜できます。

◯2次元層状化合物の成膜

近年活発に研究されているグラフェンや金属カルコゲナイドなどを成膜することができます。

◯表面処理

必ずしも平坦でない対象物表面にも処理できるため、凹凸の多い対象の表面処理などに用いられます。例として切削工具などの耐摩耗性を向上させるTiC、TiCNなどがあります。

※組織により上記実験ができない場合がございます。

・機器の持ち込み可能
・廃液処理対応も可能
・委託実験については要相談
・技術指導については要相談
・居室有
・最先端機器（TEM、SEM）や、デバイス作製用クリーンルーム、バイオ実験室完備

・ナノエレクトロニクス材料作製・評価
・DNA、細胞培養、たんぱく質の解析、形態観察
・ナノカーボン材料合成、評価（フラーレン、カーボンナノチューブ、ナノグラファイト、グラフェン）
・バイオ、ナノ融合研究

・バイオセンサ開発
・マイクロ流路作製
・電子デバイス作製
・電子線描画装置によるレジストパーターン作製
・FIBを利用したTEM用薄膜作製
・コバルト内包カーボンナノアニオンのTEM像と制限視野回折観察
・空中配線された量子ドットを有するナノ電子デバイスのSEM観察
・デオキシリボ核酸（DNA）のAFM観察
・CMCマグネティックナノ粒子のFT-IR分析
・単層CNTのラマンマッピング
・量子ドットの励起蛍光すペクトル（NIR-PLE）
・XPSによるグラフェン構造の評価
・オージェ電子分光による酸化グラフェンの薄膜依存性
・飛行時間型二次イオン質量分析装置によるSiとO元素の深さ方向分布
・超電導材料の磁気特性（SQUID/VSM)測定
・硫酸銅のTG-DTA曲線
・カーボン材料の窒素ガス吸脱等温線（比表面積細孔分布計測）
・核およびアクチンフィラメントを蛍光染色した食道がん細胞の共焦点レーザー顕微鏡観察
・アポトーシスを起こしたJurket Cellsの蛍光染（セルソータ）
・ポリイプシロンカプロラクトンのMALDI-TOF-MSによる構造解析

・表面波プラズマの電磁場解析
半導体製造プロセスで多く用いられるのは容量結合型／誘導結合型放電という方式で、商用シミュレーションツールの応用例も豊富ですが、高密度のプラズマを生成する表面波モードのマイクロ波励起プラズマに対応した商用ツールは少数です。一方、例えば金属機械部品の摩擦低減のためのダイヤモンドライクカーボン(DLC)成膜手法として表面波プラズマは注目されていて、シミュレーションの研究もされています。このようなシミュレーションシステムの実用化を行います。

・デバイス微細加工・成膜時の形状進展の解析
形状進展シミュレーションは歴史の長い商用ツールがありますが、ウエットエッチングや化学的気相反応(CVD)など個々の加工プロセスについて物理・化学モデルが十分に備わっているとは言えません。また、大手半導体メーカーが生産するプロセッサやメモリ向けではなく、例えばマイクロLED作製のための窒化ガリウム(GaN)の成膜・加工などの用途では応用例が少なく、大手ベンダの商用ツールでは対応が困難です。上記のようなプロセスや用途に特化した形状進展シミュレーションの実現します。

・結晶の液相成長の解析
液相成長による単結晶材料の製造は、半導体向けのシリコンウエハを始めとして日本の得意分野であり、結晶成長過程の数値シミュレーションの研究も盛んに行われてきましたが、商用ツールは少数です。一方で単結晶材料開発の研究は近年も盛んであり、大学発ベンチャーによる事業化も目立ちます。液相成長は長時間を要するため、シミュレーションによるプロセス最適化・生産効率の向上を実現します。