円筒型の石英管の周りに電磁誘導コイル、または一対の容量
結合電極を設置し、RFパワーを印加することによって
プラズマが生成されます。
レジストのアッシングに用いられています。
CCP(
容量結合型プラズマ)は平行平板型の一対の
電極間にRFパワーを印加することによってプラズが生成されます。平行平板型
RIE(反応性
イオンエッチング)装置とも呼ばれています。
SiO2の
エッチングに用いられています。
〇マグネトロンRIE装置
電界と磁界の
相互作用で電子をサイクロイド運動させることによって、高密度
プラズマが生成されます。
RIEに永久磁石または電磁コイルで形成した磁界を加えたものです。
SiO2の
エッチングに用いられています。
ECRとは電子サイクロトロン共鳴と呼ばれ、マイクロ波の
電界と
磁場の静磁界の共鳴作用で電子がサイクロトロン運動をするので、高密度
プラズマを生成することが出来ます。
導電性材料であるゲート材料や
Si、Al配線などの
微細加工に用いられています。
ICPとは
誘導結合型プラズマと呼ばれ、高周波
電流をコイルに流して形成された磁界によって高密度
プラズマが生成されます。
導電性材料であるゲート材料や
Si、Al配線などの
微細加工に用いられています。
ICPプラズマエッチング装置にさらに直流磁界を付加して高密度
プラズマを生成する装置です。
※組織により上記実験ができない場合がございます。