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ご希望の設備/ラボが 見つからない場合は、 こちらからご要望を お聞かせください

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    • Ic pin 埼玉県
    • 機器訪問利用

    蛍光偏光度測定装置

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    蛍光異方性(蛍光性の物質に励起光として偏光を照射すると、生じる蛍光の偏光度が分子の状態によって異なること)を利用し、分子の状態を計測します。

    • Ic pin 栃木県
    • 機器訪問利用

    示差熱熱重量測定装置(TG-DTA)

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    示差走査熱量測定(測定試料と基準物質との間の熱量の差を計測し、融点やガラス転移点などを測定)します。

    • Ic pin 栃木県
    • 機器訪問利用

    X線光電子分光分析装置(XPS)

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    X線照射により放出される光電子の運動エネルギー分布を測定し、試料表面の元素の種類・存在量・化学結合状態を調べる装置です。

    • Ic pin 東京都
    • 機器訪問利用

    原子間力顕微鏡(AFM)

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    料と探針の原子間にはたらく力を検出して画像を得る装置です。

    可能な実験例

    膜厚測定

    基材と薄膜界面近辺を測定することにより、膜厚がわかります。例として蒸着膜やSAMs、LB膜などが挙げられます。分子構造と膜厚から層数がわかることもあります。

    ◯原子レベル平坦結晶面の観察研磨した単結晶基板単結晶のへき開面などは原子レベルで平坦なことがあり、AFMによりステップ&テラス構造が観察されることがあります。結晶面の成長過程観察により成長メカニズムの解明に役立ちます。

    ◯表面荒さの測定

    観察した表面の荒さや凹凸の度合いを測定することができます。平均面荒さ(Ra)や自乗平均面荒さ(RMS)、面内最大高低差(Rmax)といった数値であらわされます。

    ◯生体材料の測定

    タッピングモードやノンコンタクトモード測定などを用いることにより、対象物を破壊することなく測定することができます。柔らかく変位し易い生体材料などの表面測定に適しており、プローブのしなりなどから細胞膜の弾性率などを測定することもできます。


    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

    • Ic pin 東京都
    • 機器訪問利用

    TOF-SIMS(飛行時間型二次イオン質量分析装置)

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    飛行時間型二次イオン質量分析法(TOF-SIMS:Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry)は、固体試料にイオンビーム(一次イオン)を照射し、表面から放出されるイオン(二次イオン)を、その飛行時間差(飛行時間は重さの平方根に比例)を利用して質...

    可能な実験例

    ・表面の欠陥

    試料表面の微細な欠陥を非破壊的に検査することができます。

    3次元イメージング

    固体試料中の任意の成分3次元イメージングを行い、汚染成分やその分布を知ることができます。

    ・生体成分の検出

    生体に由来する無機・有機成分を検出し、マッピングすることが可能です。

    有機物による汚染の確認

    試料のマススぺクトルのフラグメント解析により、有機化合物による汚染を確認することができます。

    ・粒子表面の測定

    粉末粒子表面の塗装などの解析を行うことができます。


    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

    • Ic pin 東京都
    • 機器訪問利用

    剛軟度試験機

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    カンチレバー法により、フィルムや布等の剛軟性を試験する装置です。

    • Ic pin 東京都
    • 機器訪問利用

    透過電子顕微鏡(TEM)

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    観察対象に電子線をあて、透過した電子線の強弱から観察対象内の電子透過率の空間分布を観察する装置です。

    可能な実験例

    生体組織や無機マテリアルの微細構造評価

    TEMの非常に高い倍率,分解能という特性から,原子レベルでの観察がおこなえます。そのため,光学顕微鏡では観察が困難な,似て非なる構造も捉えることができます。

    免疫標識による生物のタンパク質局在解析

    目的の探索物質に反応する抗体で標識することで,微細構造上でタンパク質などの探索物質の局在を観察することができます。抗体反応を色で観察することはできないため,金コロイドなどで標識する必要があります。

    固体結晶構造解析

    試料に電子線を当てたときの回析パターンから,結晶構造を推測,決定することができます。


    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

    • Ic pin 茨城県
    • 機器訪問利用

    ドライエッチング装置

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    プラズマを利用したガスによって加工する方法をドライエッチングと呼び、半導体に精密な凹凸を形成することができます。

    可能な実験例

    〇バレル型プラズマエッチング装置

    円筒型の石英管の周りに電磁誘導コイル、または一対の容量結合電極を設置し、RFパワーを印加することによってプラズマが生成されます。
    レジストのアッシングに用いられています。

    〇CCPプラズマエッチング装置

    CCP(容量結合型プラズマ)は平行平板型の一対の電極間にRFパワーを印加することによってプラズが生成されます。平行平板型RIE(反応性イオンエッチング)装置とも呼ばれています。
    SiO2のエッチングに用いられています。

    〇マグネトロンRIE装置

    電界と磁界の相互作用で電子をサイクロイド運動させることによって、高密度プラズマが生成されます。RIEに永久磁石または電磁コイルで形成した磁界を加えたものです。
    SiO2のエッチングに用いられています。

    ○ECRプラズマエッチング装置

    ECRとは電子サイクロトロン共鳴と呼ばれ、マイクロ波の電界磁場の静磁界の共鳴作用で電子がサイクロトロン運動をするので、高密度プラズマを生成することが出来ます。
    導電性材料であるゲート材料やSi、Al配線などの微細加工に用いられています。

    ICPプラズマエッチング装置

    ICPとは誘導結合型プラズマと呼ばれ、高周波電流をコイルに流して形成された磁界によって高密度プラズマが生成されます。
    導電性材料であるゲート材料やSi、Al配線などの微細加工に用いられています。

    ○ヘリコーン波プラズマエッチング装置

    ICPプラズマエッチング装置にさらに直流磁界を付加して高密度プラズマを生成する装置です。


    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

    • Ic pin 茨城県
    • 機器訪問利用

    走査型電子顕微鏡(SEM)

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    電子線を絞って電子ビームとして対象に照射し、対象物から放出される二次電子、反射電子(後方散乱電子、BSE)、透過電子、X線、カソードルミネッセンス(蛍光)、内部起電力等を検出する事で対象を観察出来る装置です。

    可能な実験例

    〇レジストのパターン形成の観察

    露光、現像後の半導体のパターンを観察することができます。

    〇複合材料(樹脂)の断面の観察

    フィラーや強化繊維などを樹脂分散させた際に、断面観察により分散状態を観察することができます。

    電極断面の観察

    LEDの金属電極断面について、低加速電圧で反射電子像を観察することにより、金属薄膜結晶の状態を観察することができます。

    〇金属材料の破損原因の分析

    金属材料が破損した際に、原因を分析する1つの手段として、破断面の状態を観察し、原因を分析することができます。

    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

    • Ic pin 茨城県
    • 機器訪問利用

    EDX(SEM-EDX)

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    SEM(走査型電子顕微鏡)にEDX(エネルギー分散型X線分析装置)を装備しており、観察領域における組成分析・元素マッピングができます。

    可能な実験例

    ○部品の破損原因の特定

    劣化して破損してしまった部品を表面分析することにより、本来部品に含まれていない成分などの有無を調べ、外的要因がないかどうかを判断することができます。

    ○金属中の変色調査

    変色してしまった金属製品を測定しマッピング分析をすることにより、変色箇所に含まれる成分を特定することができます。

    無機物質の大まかな材料判定

    未知の無機物質を測定し、標準試料のデータと照らし合わせることで無機物質の大まかな材料判定をすることができます。

    ○電子基板上の微小異物の分析

    電子基板上に発生した微小異物元素分析をすることにより、有機物無機物かを判別することができます。


    ※組織により上記実験ができない場合がございます。