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検索結果:すべてのカテゴリ「スパッタ」(8件)

    • Ic pin 神奈川県
    • 機器訪問利用

    イオンスパッター: JFC-1500

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    導電性のない電子顕微鏡試料のチャージアップ防止のためのコーティング、親水化処理、イオンエッチング

    導電性のない試料を電子顕微鏡で観察する際に、何もコーティングしていないと望ましい像が得られなくなる場合があります。(チャージアップ)

    この装置は、試料表面に白金などの金属をスパッタリングによってコートすることによりチャージアップを防ぐことを可能にします。

    また、試料を乗せる基板の親水化処理、イオンエッチングも行うことができます。

    • Ic pin 東京都
    • レンタルラボ

    【東京】半導体実験ができる学校のラボ(産学連携先)

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    クリーンルーム(クラス1000~10000)や、スパッタ、電子ビーム蒸着装置、マスクレス露光装置、SPM (走査型プローブ顕微鏡)を完備しています。半導体に関する幅広い実験に対応しています。

    機器の持ち込み 可能
    外部者の居室の有
    ラボのWi-Fi利用不可
    駐車場利用可能

    可能な実験例

    • Ic pin 東京都
    • 機器訪問利用

    集束イオンビーム(FIB)装置

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    集束したイオンビームを試料に照射し、加工や観察を行う装置です。

    可能な実験例

    SIM観察

    イオンスパッタ時に放出される二次電子を信号として可視化することにより画像として得られます。SIM像は、SEM像に比べて組成や結晶方位のコントラストが強く現れるため、金属などの微細構造組成の分布観察や結晶粒の観察などに適しています。

    ◯マイクロサンプリング

    透過型電子顕微鏡(TEM:Transmission Electron Micro-scope)などにより微少領域を観察する際などに用いる微少ブロックの形成(マイクロサンプリング法)に用いられます。TEM 試料台に搭載後、ビームの特性とマニピュレータ機能を組み合わせて、厚さ100nm程度の目的部位を摘出します。またFIB加工と顕微鏡観察を繰り返し、得られた連続画像をコンピューター上で再構成することにより、試料の三次元構造解析が可能となります。

    ◯破断の難しい試料の電子顕微鏡観察像取得

    試料の断面構造を観察する場合に、破断の難しい試料(金属や有機物など柔らかく、破断前後で形状が変わってしまうの)にも機械的なストレスを与えることなく断面を得ることができます。例として半田ボールの断面加工や有機系太陽電池などが挙げられ、EDXなどの組成分析とあわせて活用できます。

    ◯微少領域の断面加工

    試料が均質でなく、観察したい箇所が試料断面の一部分や数μm程度の大きさである場合も、SIM観察しながら細く絞ったビームで断面加工を行うことができます。例として基板上の異物観察による成長メカニズム解析、めっきの不良箇所、未着部分観察など、狙って断面を出すことが難しい試料でも加工を行うことができます。


    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

    • Ic pin 東京都
    • 機器訪問利用

    ECRイオンシャワー装置

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    イオンエッチング、イオンミリング、イオンビームスパッタ成膜、イオンミキシングスパッタ成膜に用いる装置です。

    • Ic pin 東京都
    • 機器訪問利用

    TOF-SIMS(飛行時間型二次イオン質量分析装置)

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    飛行時間型二次イオン質量分析法(TOF-SIMS:Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry)は、固体試料にイオンビーム(一次イオン)を照射し、表面から放出されるイオン(二次イオン)を、その飛行時間差(飛行時間は重さの平方根に比例)を利用して質...

    可能な実験例

    ・表面の欠陥

    試料表面の微細な欠陥を非破壊的に検査することができます。

    3次元イメージング

    固体試料中の任意の成分3次元イメージングを行い、汚染成分やその分布を知ることができます。

    ・生体成分の検出

    生体に由来する無機・有機成分を検出し、マッピングすることが可能です。

    有機物による汚染の確認

    試料のマススぺクトルのフラグメント解析により、有機化合物による汚染を確認することができます。

    ・粒子表面の測定

    粉末粒子表面の塗装などの解析を行うことができます。


    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

    • Ic pin 茨城県
    • 機器訪問利用

    CVD装置

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    薄膜(はくまく)形成装置の一つで、半導体の表面に薄い膜を堆積する装置です。

    可能な実験例

    ◯酸化物系の成膜

    原料に酸素含有ガスを用いることにより、酸化物薄膜が形成できます。例として絶縁膜などに利用されるSiOやAl2O3、強誘電体として利用されるPZT、超伝導体YBCOなどが成膜できます。その他にも多くの酸化物が研究されています。

    ◯化合物系の成膜

    化合物系薄膜成膜できます。例として太陽電池や 高速通信などに用いられるGaAs、LEDなどに用いられるGaN、パワーデバイスなどに用いられるSiCなどが挙げられます。

    ◯シリコン系の成膜

    広く産業用途で用いられるSi成膜できます。エピタキシャルSi、polySi、アモルファスSiなど、様々な状態のSi成膜できます。

    ◯2次元層状化合物の成膜

    近年活発に研究されているグラフェンや金属カルコゲナイドなどを成膜することができます。

    表面処理

    必ずしも平坦でない対象物表面にも処理できるため、凹凸の多い対象の表面処理などに用いられます。例として切削工具などの耐摩耗性を向上させるTiC、TiCNなどがあります。


    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

    • Ic pin 茨城県
    • 機器訪問利用

    ドライエッチング装置

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    プラズマを利用したガスによって加工する方法をドライエッチングと呼び、半導体に精密な凹凸を形成することができます。

    可能な実験例

    〇バレル型プラズマエッチング装置

    円筒型の石英管の周りに電磁誘導コイル、または一対の容量結合電極を設置し、RFパワーを印加することによってプラズマが生成されます。
    レジストのアッシングに用いられています。

    〇CCPプラズマエッチング装置

    CCP(容量結合型プラズマ)は平行平板型の一対の電極間にRFパワーを印加することによってプラズが生成されます。平行平板型RIE(反応性イオンエッチング)装置とも呼ばれています。
    SiO2のエッチングに用いられています。

    〇マグネトロンRIE装置

    電界と磁界の相互作用で電子をサイクロイド運動させることによって、高密度プラズマが生成されます。RIEに永久磁石または電磁コイルで形成した磁界を加えたものです。
    SiO2のエッチングに用いられています。

    ○ECRプラズマエッチング装置

    ECRとは電子サイクロトロン共鳴と呼ばれ、マイクロ波の電界磁場の静磁界の共鳴作用で電子がサイクロトロン運動をするので、高密度プラズマを生成することが出来ます。
    導電性材料であるゲート材料やSi、Al配線などの微細加工に用いられています。

    ICPプラズマエッチング装置

    ICPとは誘導結合型プラズマと呼ばれ、高周波電流をコイルに流して形成された磁界によって高密度プラズマが生成されます。
    導電性材料であるゲート材料やSi、Al配線などの微細加工に用いられています。

    ○ヘリコーン波プラズマエッチング装置

    ICPプラズマエッチング装置にさらに直流磁界を付加して高密度プラズマを生成する装置です。


    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

    • Ic pin 茨城県
    • 機器訪問利用

    走査型電子顕微鏡(SEM)

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    電子線を絞って電子ビームとして対象に照射し、対象物から放出される二次電子、反射電子(後方散乱電子、BSE)、透過電子、X線、カソードルミネッセンス(蛍光)、内部起電力等を検出する事で対象を観察出来る装置です。

    可能な実験例

    〇レジストのパターン形成の観察

    露光、現像後の半導体のパターンを観察することができます。

    〇複合材料(樹脂)の断面の観察

    フィラーや強化繊維などを樹脂分散させた際に、断面観察により分散状態を観察することができます。

    電極断面の観察

    LEDの金属電極断面について、低加速電圧で反射電子像を観察することにより、金属薄膜結晶の状態を観察することができます。

    〇金属材料の破損原因の分析

    金属材料が破損した際に、原因を分析する1つの手段として、破断面の状態を観察し、原因を分析することができます。

    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

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