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検索結果：すべてのカテゴリ「Si」（56件）

    • 茨城県
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    CVD装置

    薄膜(はくまく)形成装置の一つで、半導体の表面に薄い膜を堆積する装置です。

    可能な実験例

    ◯酸化物系の成膜

    原料に酸素含有ガスを用いることにより、酸化物薄膜が形成できます。例として絶縁膜などに利用されるSiOやAl2O3、強誘電体として利用されるPZT、超伝導体YBCOなどが成膜できます。その他にも多くの酸化物が研究されています。

    ◯化合物系の成膜

    化合物系薄膜が成膜できます。例として太陽電池や 高速通信などに用いられるGaAs、LEDなどに用いられるGaN、パワーデバイスなどに用いられるSiCなどが挙げられます。

    ◯シリコン系の成膜

    広く産業用途で用いられるSiを成膜できます。エピタキシャルSi、polySi、アモルファスSiなど、様々な状態のSiが成膜できます。

    ◯2次元層状化合物の成膜

    近年活発に研究されているグラフェンや金属カルコゲナイドなどを成膜することができます。

    ◯表面処理

    必ずしも平坦でない対象物表面にも処理できるため、凹凸の多い対象の表面処理などに用いられます。例として切削工具などの耐摩耗性を向上させるTiC、TiCNなどがあります。


    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

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    固体NMR(核磁気共鳴)装置

    核磁気共鳴法（NMR）は、磁場中での原子核の共鳴現象を利用して、原子レベルの化学構造や分子運動性を解析できる手法です。 試料を溶媒に溶かすことなく測定するため、固体状態そのままの構造情報を得られます。

    可能な実験例

    〇多孔質物質の構造解析

    29Siを測定することで、構造を推定することができます。

    〇ペプチド・ポリペプチドの構造解析

    13Cを測定し、構造を推定することができます。

    〇ダイヤモンドライクカーボン(DLC)の評価

    13Cについてsp3とsp2の割合を解析することで、DLCの評価を行うことができます。

    〇高分子材料における結晶化度の定量

    DD/MAS 法にて得たスペクトルを用いることで、結晶相の炭素、非晶相の炭素の割合を比較することで、結晶化度を測定することができます。


    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

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    ドライエッチング装置

    プラズマを利用したガスによって加工する方法をドライエッチングと呼び、半導体に精密な凹凸を形成することができます。

    可能な実験例

    〇バレル型プラズマエッチング装置

    円筒型の石英管の周りに電磁誘導コイル、または一対の容量結合電極を設置し、RFパワーを印加することによってプラズマが生成されます。
    レジストのアッシングに用いられています。

    〇CCPプラズマエッチング装置

    CCP（容量結合型プラズマ）は平行平板型の一対の電極間にRFパワーを印加することによってプラズが生成されます。平行平板型RIE（反応性イオンエッチング）装置とも呼ばれています。
    SiO2のエッチングに用いられています。

    〇マグネトロンRIE装置

    電界と磁界の相互作用で電子をサイクロイド運動させることによって、高密度プラズマが生成されます。RIEに永久磁石または電磁コイルで形成した磁界を加えたものです。
    SiO2のエッチングに用いられています。

    ○ECRプラズマエッチング装置

    ECRとは電子サイクロトロン共鳴と呼ばれ、マイクロ波の電界と磁場の静磁界の共鳴作用で電子がサイクロトロン運動をするので、高密度プラズマを生成することが出来ます。
    導電性材料であるゲート材料やSi、Al配線などの微細加工に用いられています。

    ○ICPプラズマエッチング装置

    ICPとは誘導結合型プラズマと呼ばれ、高周波電流をコイルに流して形成された磁界によって高密度プラズマが生成されます。
    導電性材料であるゲート材料やSi、Al配線などの微細加工に用いられています。

    ○ヘリコーン波プラズマエッチング装置

    ICPプラズマエッチング装置にさらに直流磁界を付加して高密度プラズマを生成する装置です。


    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

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    EDX(SEM-EDX)

    SEM(走査型電子顕微鏡)にEDX(エネルギー分散型X線分析装置)を装備しており、観察領域における組成分析・元素マッピングができます。

    可能な実験例

    ○部品の破損原因の特定

    劣化して破損してしまった部品を表面分析することにより、本来部品に含まれていない成分などの有無を調べ、外的要因がないかどうかを判断することができます。

    ○金属中の変色調査

    変色してしまった金属製品を測定しマッピング分析をすることにより、変色箇所に含まれる成分を特定することができます。

    ○無機物質の大まかな材料判定

    未知の無機物質を測定し、標準試料のデータと照らし合わせることで無機物質の大まかな材料判定をすることができます。

    ○電子基板上の微小異物の分析

    電子基板上に発生した微小異物の元素分析をすることにより、有機物か無機物かを判別することができます。


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    X線回折装置（XRD）

    化合物の同定・定量分析や、結晶構造の解析を行うことができます。

    可能な実験例

    試料の定性・定量分析・相同定

    粉末X線回折法により得られた回折パターンを、既知物質の回折パターンと比較することで試料の定性・定量分析や相同定をすることができます。

    格子定数・イオン半径・原子座標位置の算出

    粉末X線回折法により得られた回折パターンのフィッテングを行うことで、試料の格子定数・イオン半径・原子座標位置を算出することができます。

    分子の三次元構造の決定

    単結晶X線回折法により得られた回折パターンから、分子の三次元構造を決定することができます。

    試料の格子歪・残留応力の測定

    X線回折法により得られた回折パターンから、ピーク位置のずれや幅を測定することで試料の格子歪・残留応力の算出をすることができます。

    結晶方位の測定

    試料に照射するX線の角度を変化させながら、任意の結晶方位の回折ピークを測定することで試料の結晶方位を測定することができます。

    結晶配向性の測定

    特定のピーク位置における回折強度分布を測定することで、結晶の配向性を測定することができます。


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    • 委託
      産学連携

    （次世代シーケンサー）Panelを用いた遺伝学的検査

    ターゲットシーケンス、メタゲノム、小さいゲノムのシーケンス解析、ターゲット遺伝子発現、アンプリコンシーケンス、HLAタイピングなどに対応しています。

    可能な実験例

    遺伝子の公式データベースへの登録

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