遺伝子に影響を与える変異原性物質を予測する試験。迅速、安価、かつ比較的容易に実施できます。
☆コラボメーカーを通すメリット☆
・製品開発に伴う外注業務をまるっとサポート
・抗菌・抗ウイルス試験・安全性試験・有効性試験などもまとめて受託可能
【安全性試験委託サービスのポイント】
☆お客様のお困りごとをヒアリング、目的に合わせて試験内容をご提案
☆具体的な試験内容の決定をサポート
☆コンシェルジュはすでに知見があるので、予算・納期に合わせて、複数の試験先から最適な試験先をご紹介
☆複数の試験先とのやり取りをコンシェルジュが行うので、お客様の業務負担軽減
☆エンドユーザー様への説明や試験結果の取り扱いについてもご相談可能
詳細は製品開発担当者様向け【安全性試験 委託サービス】もご覧ください。
【用途例】
☆化学物質の遺伝毒性やがん原性の予測
☆突然変異物質や発がん物質の作用機序の解明
☆労働者の健康被害対策
☆SDS作成
☆製品の品質管理
☆環境影響評価等のスクリーニング
☆医薬品不純物評価
【概要】
遺伝子に影響を与える変異原性物質を予測する試験。迅速、安価、かつ比較的容易に実施できます。
【試験施設の特徴】
GLP適合施設での試験も可能なので、医薬品も安心して試験できます。
製品特性に合わせて試験内容をご提案致します。
＊試験先は推進の場合開示させていただきます。
【試験対象品】
医薬品、医薬部外品、工業製品、化学物質...etc
【試験】
遺伝子に影響を与える変異原性物質を予測する試験
OECD471ガイドライン参照（細菌復帰突然変異試験）
【試験流れ】
（準備）
使用細菌：アミノ酸が存在しなければ生育できないサルモネラ菌と大腸菌
培地：数回の細胞分裂を起こさせるために、寒天培地とヒスチジンおよびビオチンまたはトリプトファンを含む軟寒天を用います。
代謝活性：細菌を適切な代謝活性化系存在下および非存在下の状態で被験物質に暴露させます。
被験物質：固体の場合、適切な溶媒に、溶解するか希釈します。液体の場合、試験系に直接添加するか、添加前に希釈します。
（試験条件）
溶剤／溶媒：被験物質と化学反応を起こす疑いがないものを用います。
暴露濃度：最終処理混合液中の細胞毒性と溶解性を考慮し、少なくとも5 つの異なる濃度を使用します。
対照：株特異性の陽性対照および陰性対照（溶剤または溶媒）を、代謝活性化系存在下および非存在下で同時に測定します。
（被験物質の添加）
プレート法とプレインキュベーション法の2種類があります。それぞれ各種ガイドラインで認められています。
*プレインキュベーション法では以下の化合物がより効率的に検出される可能性があります。
・短鎖脂肪族ニトロソアミン
・二価金属
・アルデヒド
・アゾ色素
・ジアゾ化合物
・ピロリジジンアルカロイド
・アリル化合物およびニトロ化合物
などの種類に属する化合物
1.プレート法
代謝活性化非存在下の測定では、0.05 mL または 0.1 mL 試験液、0.1mL の新鮮細菌培養と 0.5 mL の無菌緩衝液を 2.0 mL の軟寒天と混合します。
代謝活性化条件下の測定では、細菌および被験物質／被験溶液とともに、十分量のミクロソーム画分を含む 0.5 mL の代謝活性化混合物を軟寒天と混合します。
各試験管の内容物を混合し、最小寒天プレートの表面上に注ぎます。
2.プレインキュベーション法
被験物質／被験溶液は試験菌株とともに無菌緩衝液または代謝活性化系（0.5 mL）中で 20 分以上 30～37°C で通気しながらプレインキュベートし、その後軟寒天と混合し、最小寒天培地表面に注ぎます。0.05 または0.1 mL の被験物質／被験溶液、0.1mL の細菌および 0.5mL の S9-mix または無菌緩衝液を、2.0mL の軟寒天に混合します。
（培養・計測）一つの試験におけるプレートは全て 48～72 時間、37°C で培養します。培養後、プレートあたりの復帰コロニー数を計測します。
（結果・考察）被験物質と陽性および陰性（無添加および／または溶剤）対照について、個々のプレート上の復帰コロニー数、平板あたりの復帰コロニーの平均個数および標準偏差を示し、考察致します。
【試験前に検討・決定が必要な基本事項例】
・被験物質量、菌株数や試験により異なりますのでお問い合わせください。ご希望条件に合わせてご案内いたします。
【試験結果のご利用に関して】
HP、LP、営業資料等、広くお使いいただけます。
物理気相成長（PVD）、化学気相成長（CVD）、プラズマエッチング、電子ビーム、露光プロセスなどの半導体製造・薄膜加工や検査工程に関する数値計算システムの導入支援を行います。当事業では商用ツールではなく大学の研究室等で開発されているシステムの産学連携による活用を想定しています。海外大学・研究機...
・表面波プラズマの電磁場解析
半導体製造プロセスで多く用いられるのは容量結合型／誘導結合型放電という方式で、商用シミュレーションツールの応用例も豊富ですが、高密度のプラズマを生成する表面波モードのマイクロ波励起プラズマに対応した商用ツールは少数です。一方、例えば金属機械部品の摩擦低減のためのダイヤモンドライクカーボン(DLC)成膜手法として表面波プラズマは注目されていて、シミュレーションの研究もされています。このようなシミュレーションシステムの実用化を行います。
・デバイス微細加工・成膜時の形状進展の解析
形状進展シミュレーションは歴史の長い商用ツールがありますが、ウエットエッチングや化学的気相反応(CVD)など個々の加工プロセスについて物理・化学モデルが十分に備わっているとは言えません。また、大手半導体メーカーが生産するプロセッサやメモリ向けではなく、例えばマイクロLED作製のための窒化ガリウム(GaN)の成膜・加工などの用途では応用例が少なく、大手ベンダの商用ツールでは対応が困難です。上記のようなプロセスや用途に特化した形状進展シミュレーションの実現します。
・結晶の液相成長の解析
液相成長による単結晶材料の製造は、半導体向けのシリコンウエハを始めとして日本の得意分野であり、結晶成長過程の数値シミュレーションの研究も盛んに行われてきましたが、商用ツールは少数です。一方で単結晶材料開発の研究は近年も盛んであり、大学発ベンチャーによる事業化も目立ちます。液相成長は長時間を要するため、シミュレーションによるプロセス最適化・生産効率の向上を実現します。
神奈川県
示差走査熱量測定（測定試料と基準物質との間の熱量の差を計測し、融点やガラス転移点などを測定）します。
※組織により上記実験ができない場合がございます。
