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検索結果:すべてのカテゴリ「ガス」(45件)

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    集束イオンビーム(FIB)装置

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    集束したイオンビームを試料に照射し、加工や観察を行う装置です。

    可能な実験例

    SIM観察

    イオンスパッタ時に放出される二次電子を信号として可視化することにより画像として得られます。SIM像は、SEM像に比べて組成や結晶方位のコントラストが強く現れるため、金属などの微細構造組成の分布観察や結晶粒の観察などに適しています。

    ◯マイクロサンプリング

    透過型電子顕微鏡(TEM:Transmission Electron Micro-scope)などにより微少領域を観察する際などに用いる微少ブロックの形成(マイクロサンプリング法)に用いられます。TEM 試料台に搭載後、ビームの特性とマニピュレータ機能を組み合わせて、厚さ100nm程度の目的部位を摘出します。またFIB加工と顕微鏡観察を繰り返し、得られた連続画像をコンピューター上で再構成することにより、試料の三次元構造解析が可能となります。

    ◯破断の難しい試料の電子顕微鏡観察像取得

    試料の断面構造を観察する場合に、破断の難しい試料(金属や有機物など柔らかく、破断前後で形状が変わってしまうの)にも機械的なストレスを与えることなく断面を得ることができます。例として半田ボールの断面加工や有機系太陽電池などが挙げられ、EDXなどの組成分析とあわせて活用できます。

    ◯微少領域の断面加工

    試料が均質でなく、観察したい箇所が試料断面の一部分や数μm程度の大きさである場合も、SIM観察しながら細く絞ったビームで断面加工を行うことができます。例として基板上の異物観察による成長メカニズム解析、めっきの不良箇所、未着部分観察など、狙って断面を出すことが難しい試料でも加工を行うことができます。


    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

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    ICP-AES(ICP発光分光装置)

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    液体試料中の元素の定性分析・定量分析固体試料中の元素の定量分析を行う装置です。

    可能な実験例

    無機物の構成成分定量分析

    成分組成や微量添加元素が性能に与える影響が大きい素材の分析に有効です。鉄鋼など合金、セラミックス、鉱石などの成分分析に用いられます。

    ◯環境規制物質の検査

    RoHSなどによる環境規制物質(鉛、水銀、カドミウムなど)の規制濃度は、例えばカドミウムの場合は100ppmなど、測定対象重量に対し微量です。 これらの微量成分定量分析に有効です。土壌や産業廃液製品の一部などが分析対象です。

    生体試料に含まれる金属などの定量分析

    体内に蓄積された重金属などが毛髪や爪、骨などに排出される場合があります。これらを溶かして分析、定量化することが可能です。

    食品中の汚染物質濃度検出

    消費者の健康保護のために食品の汚染物質に対する基準値が設けられており、例えば米に含まれるカドミウムの場合は0.4 ppm(mg/kg)以下と定められています。これら食品の低濃度汚染物質検査に用いられることがあります。


    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

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    ICP質量分析装置(ICP-MS)

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    水溶液中に含まれる元素の分析を行います。

    可能な実験例

    (1) 海水中重金属の分析

    海水中には広範囲の濃度で微量元素が含まれていて、亜鉛、ニッケル、鉛などng/L ~ μg/Lレベルの微量重金属の含有量を明らかにするためにICP質量分析を用います。
    海水には数パーセントを超えるナトリウム、塩素なども含まれているため、海水をそのまま装置に導入して測定することができません。
    そこでキレート樹脂分離法により測定前に海水から微量重金属分離することを行います。海水中の重金属は有機または無機の溶存物配位子と錯体を形成している場合があるため、キレート樹脂に通す前に硝酸で処理します。
    酢酸アンモニウム溶液溶液のpHを調整したのち、重金属多価イオンと錯体を形成できる配位子をもったキレート樹脂に海水を通します。樹脂から重金属を取り出すために1~3mol/Lの希硝酸を樹脂に通します。

    (2) 生体試料

    生体中の微量金属と疾病の関係に調べるあたり、生体中の元素の多くはμg/L以下の極低濃度しか含まれていないので、ICP-MSのような高感度の測定が必要です。
    しかし試料に由来するNa, K, Ca, S, Pなどの妨害イオンの存在により測定が困難です。そのため質量分解能が高いICP-SF-MS(二重収束型ICP-MS)を使うことで妨害を除くことができます。
    硝酸や過酸化水素水によって生体試料を分解処理します。塩酸や硫酸ではSやClなどの妨害イオンが生じてしまうため使用を避けます。

    (3) 半導体材料

    半導体製造ではわずかな金属汚染でもデバイスの不良につながってしまうため、微量の金属分析が極めて重要で、ICP-MSにより微量の金属分析を行えます。
    シリコンをフッ化水素酸や硝酸の混酸で溶解して不純物を測定します。(このときSiF4が生成するが、沸点が-95.1℃であるため加熱して大部分を除去することができます。)


    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

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    赤外分光光度計(FT-IR)

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    分子構造の決定、物質の同定を行う装置です。

    可能な実験例

    異物の同定

    既知物質赤外吸収スペクトル比較することで、異物の同定ができます。

    有機物構造解析

    赤外吸収スペクトルから、結合度や官能基の有無、シス-トランス異性などの構造を調べることができます。

    品質管理

    基準となる赤外吸収スペクトル比較することで、測定対象の品質が要求仕様を満たしているかを調べることができます。

    〇トランス脂肪酸含有量の測定

    全反射法を用いることで、食品に含まれるトランス脂肪酸の含有量を調べることができます。


    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

    • Ic pin 茨城県
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    CO2インキュベーター

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    温度・湿度・CO2濃度を一定で安定した環境にし、細胞をより生理的条件に近い状態で培養するための装置です。(https://www.yamato-net.co.jp/qa/detail/5/)

    可能な実験例

    ○COS7、HEK等の一般的な培養細胞株初代培養細胞ES細胞iPS細胞の培養

    定温度37℃、CO2濃度5%で培養します。

    Sf9等の昆虫細胞

    27℃、CO2調節は培養に特に必要としません。30℃以上になると昆虫細胞は死んでしまいます。

    培養細胞の虚血実験

    インキュベーター内の酸素濃度を低くすることにより可能です。


    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

    • Ic pin 茨城県
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    CVD装置

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    薄膜(はくまく)形成装置の一つで、半導体の表面に薄い膜を堆積する装置です。

    可能な実験例

    ◯酸化物系の成膜

    原料に酸素含有ガスを用いることにより、酸化物薄膜が形成できます。例として絶縁膜などに利用されるSiOやAl2O3、強誘電体として利用されるPZT、超伝導体YBCOなどが成膜できます。その他にも多くの酸化物が研究されています。

    ◯化合物系の成膜

    化合物系薄膜成膜できます。例として太陽電池や 高速通信などに用いられるGaAs、LEDなどに用いられるGaN、パワーデバイスなどに用いられるSiCなどが挙げられます。

    ◯シリコン系の成膜

    広く産業用途で用いられるSi成膜できます。エピタキシャルSi、polySi、アモルファスSiなど、様々な状態のSi成膜できます。

    ◯2次元層状化合物の成膜

    近年活発に研究されているグラフェンや金属カルコゲナイドなどを成膜することができます。

    表面処理

    必ずしも平坦でない対象物表面にも処理できるため、凹凸の多い対象の表面処理などに用いられます。例として切削工具などの耐摩耗性を向上させるTiC、TiCNなどがあります。


    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

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    TEOS-CVD

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    TEOSをHeガスによるバブリング法により供給し、チャンバー内でプラズマアシストによる分解反応を発生させ、O2ガスと反応させることで酸化膜を形成する装置です。

    • Ic pin 茨城県
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    ドライエッチング装置

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    プラズマを利用したガスによって加工する方法をドライエッチングと呼び、半導体に精密な凹凸を形成することができます。

    可能な実験例

    〇バレル型プラズマエッチング装置

    円筒型の石英管の周りに電磁誘導コイル、または一対の容量結合電極を設置し、RFパワーを印加することによってプラズマが生成されます。
    レジストのアッシングに用いられています。

    〇CCPプラズマエッチング装置

    CCP(容量結合型プラズマ)は平行平板型の一対の電極間にRFパワーを印加することによってプラズが生成されます。平行平板型RIE(反応性イオンエッチング)装置とも呼ばれています。
    SiO2のエッチングに用いられています。

    〇マグネトロンRIE装置

    電界と磁界の相互作用で電子をサイクロイド運動させることによって、高密度プラズマが生成されます。RIEに永久磁石または電磁コイルで形成した磁界を加えたものです。
    SiO2のエッチングに用いられています。

    ○ECRプラズマエッチング装置

    ECRとは電子サイクロトロン共鳴と呼ばれ、マイクロ波の電界磁場の静磁界の共鳴作用で電子がサイクロトロン運動をするので、高密度プラズマを生成することが出来ます。
    導電性材料であるゲート材料やSi、Al配線などの微細加工に用いられています。

    ICPプラズマエッチング装置

    ICPとは誘導結合型プラズマと呼ばれ、高周波電流をコイルに流して形成された磁界によって高密度プラズマが生成されます。
    導電性材料であるゲート材料やSi、Al配線などの微細加工に用いられています。

    ○ヘリコーン波プラズマエッチング装置

    ICPプラズマエッチング装置にさらに直流磁界を付加して高密度プラズマを生成する装置です。


    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

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    走査型電子顕微鏡(SEM)

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    電子線を絞って電子ビームとして対象に照射し、対象物から放出される二次電子、反射電子(後方散乱電子、BSE)、透過電子、X線、カソードルミネッセンス(蛍光)、内部起電力等を検出する事で対象を観察出来る装置です。

    可能な実験例

    〇レジストのパターン形成の観察

    露光、現像後の半導体のパターンを観察することができます。

    〇複合材料(樹脂)の断面の観察

    フィラーや強化繊維などを樹脂分散させた際に、断面観察により分散状態を観察することができます。

    電極断面の観察

    LEDの金属電極断面について、低加速電圧で反射電子像を観察することにより、金属薄膜結晶の状態を観察することができます。

    〇金属材料の破損原因の分析

    金属材料が破損した際に、原因を分析する1つの手段として、破断面の状態を観察し、原因を分析することができます。

    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

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    EPMA(電子線マイクロアナライザー装置)

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    電子プローブマイクロアナライザ(EPMA)は、物質表面に電子線を照射して、そこから発生する特性X線を計測し、試料を構成する元素とその量を測定することができます。

    可能な実験例

    物質の構成元素定量分析

    物質を構成する元素強度比から、定量分析が可能です。電子顕微鏡観察面での分析であり、試料全体の定量分析ではないことに注意が必要です。また標準試料を用いることによって、定量の精度が向上します。

    物質の構成元素定性分析

    検出したX線の波長からどのような元素が含まれているかわかり、未知物質の組成推定に用いることができます。検出限界は 程度で、0.001質量%(重元素の場合)で、微量成分の分析には向きません。

    ◯相分離構造マッピング分析

    観察面の各位置から検出された特性X線波長を各元素ごとに色分けすることにより、元素マッピング分析が可能です。合金、磁石、鉱石などの相分離構造観察などに活用されます。

    ◯デバイスの縦方向組成分

    半導体などのデバイス断面を観察することで、各層を構成する元素組成がわかります。デバイス構成によっては層膜厚が分解能以下であるため、各層の組成ずれや層間の元素拡散の度合いが定性的にわかります。

    ◯汚染、不純物の組成特定

    製品不良解析や原因推定の際に有効な手段です。例えば不良があった半導体製品の表面に意図せず付着しているドロップレットの構造、組成が分かると、原因特定に役立ちます。


    ※組織により上記実験ができない場合がございます。

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